用LeicaEMTIC3X三离子束切割仪解剖半导体芯片.docxVIP

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2018-04-04 发布于重庆
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用LeicaEMTIC3X三离子束切割仪解剖半导体芯片

用Leica EM TIC3X三离子束切割仪解剖半导体芯片 2015-11-23 HYPERLINK javascript:void(0); 实验步骤：预处理：用快速胶固定包埋，EM TXP精研一体机切割定位 EM TIC 3X三离子束切割仪参数：加速电压：7kV 离子束流：2.6mA 研磨时间：3h 切割深度：50μm左右样品制备人员：徕卡纳米技术部应用专家程路半导体芯片截面，放大倍率：6,000 半导体芯片截面，放大倍率：9,000 半导体芯片截面，放大倍率：15,000 半导体芯片截面，放大倍率：40,000 使用的制样设备：徕卡EM TIC 3X三离子束切割仪三束氩离子束正在对样品进行切割：辅助制样设备：徕卡EM TXP精研一体机如果您对上述样品和资料感兴趣，可以拨打电话022细咨询,天津和通元伟商贸有限公司竭诚为您服务，我公司是一个致力于工业显微镜和检测装备的专业公司，是德国徕卡公司在华北地区的代理。