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用LeicaEMTIC3X三离子束切割仪解剖半导体芯片
用Leica EM TIC3X三离子束切割仪解剖半导体芯片
2015-11-23 HYPERLINK javascript:void(0);
实验步骤:
预处理:用快速胶固定包埋,EM TXP精研一体机切割定位
EM TIC 3X三离子束切割仪参数:
加速电压:7kV
离子束流:2.6mA
研磨时间:3h
切割深度:50μm左右
样品制备人员:徕卡纳米技术部 应用专家 程路
半导体芯片截面,放大倍率:6,000
半导体芯片截面,放大倍率:9,000
半导体芯片截面,放大倍率:15,000
半导体芯片截面,放大倍率:40,000
使用的制样设备:
徕卡EM TIC 3X三离子束切割仪
三束氩离子束正在对样品进行切割:
辅助制样设备:
徕卡EM TXP精研一体机
如果您对上述样品和资料感兴趣,可以拨打电话022细咨询,天津和通元伟商贸有限公司竭诚为您服务,我公司是一个致力于工业显微镜和检测装备的专业公司,是德国徕卡公司在华北地区的代理。
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