电子技能教学全资料1.docVIP

电子技术教案 许云飞 第一章 双极型半导体器件 2 § 1.1 半导体的基本知识 2 1.1.1 导体、半导体和绝缘体 2 1.1.3 杂质半导体 3 §1.2 PN 结 4 1.2.1 PN结的形成与特性 4 § 1.3半导体二极管 5 1.3.1 结构，符号 5 1.3.2 二极管的伏安特性曲线 6 1.3.3主要参数 6 1.3.4稳压二极管 7 § 1.4 半导体三极管 8 第一章 双极型半导体器件 § 1.1 半导体的基本知识 1.1.1 导体、半导体和绝缘体 ●导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体，如铁、铜、铝等。 ●绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 ●半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等 ●半导体的导电机理不同于其它物质， ●其特点为：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。?往纯净半导体中掺入某些杂质，会使其导电能力明显改变。 1.1.2 本征半导体本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。用的最多的半导体是硅和锗，最外层电子（价电子）都是四个。形成共价键后，每个原子最外层电子是八个，构成稳定结构。在绝对零度以下，本征半导体中无活跃载流子，不导电 1.1.3 杂质半导体 N 型半导体：在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑）而形成。也称为（电子半导体）。 P 型半导体：在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼(或铟)而形成，也称为（空穴半导体）。 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但 由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。 自由电子为多子 空穴是多子 §1.2 PN 结 1.2.1 PN结的形成与特性 一、PN结的形成 1.什么叫PN结？ 在N型半导体和P型半导体交界面处形成的带电薄层。又称空间电荷区、阻挡层、势垒区。 2. PN结的形成过程 是电子和空穴不断运动的综合结果。 多子扩散 建立内电场（空间电荷区） 阻扩散生漂移(少子) 动态平衡 扩散数=漂移数 空间电荷区宽度一定PN结形成了 二、PN结的基本特性 单向导电性和电容效应 1.什么叫单向导电性？ PN结加不同极性电压，表现不同特性。 正向电压（正向偏压、正偏） ——指P区接高电位， N区接低电位。 反向电压（反向偏压、反偏） ——指P区接低电位， N区接高电位。 § 1.3半导体二极管 1.3.1 结构，符号 二极管的几种常见结构: 1.3.2 二极管的伏安特性曲线 1.3.3主要参数 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压UBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是UBR的一半。 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。 4. 微变电阻 rD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 二极管：死区电压=0 .5V，正向压降(0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 二极管的应用举例1：二极管半波整流 1.3.4稳压二极管 一、符号 稳压二极管是一种用特殊工艺制造的硅半导体二极管，代表符号如图1.3-1(a)所示。型号通常有2CW××、2DW××等。 二、稳压二极管特性 工作在反向击穿状态下，具有稳定电压的性能。 三、稳压二极管的参数 （1）稳定电压 UZ （2）电压温度系数(U（%/℃） 稳压值受温度变化影响的的系数。 （3）动态电阻 （4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 （5）最大允许功耗 § 1.4 半导体三极管 1. 基本结构 符号 工作原理 2. 特性曲线 (1)放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=(IB , 且 (IC = ( ( IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。