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第6章 调幅、 检波与混频电路(线性频率变换电路) 6.2 振幅调制与解调原理 6.3 调幅电路 6.4 检波电路 6.5 混 频 6.6倍频 6.7 实例介绍 6.8 章末小结 6 减小或避免混频干扰的措施 从以上分析可知, 产生混频干扰的根本原因是器件的非线性特性。 混频干扰又可分成两类, 一类是由于非线性特性产生了众多无用组合频率分量而引起的, 另一类是由于非线性特性产生了一些受外来干扰控制或与调制信号不成线性关系的有用频率分量而引起的。 针对混频干扰产生的具体原因, 可以采取以下三个方面的措施来减小或避免。 (1) 选择合适的中频。如果将中频选在接收信号频段之外, 可以避免中频干扰和最强的干扰哨声。比如对于535kHz~1605kHz的中波波段, 中频选为465kHz, 则产生中频干扰的465 kHz外来干扰无法通过混频电路之前的选频网络。 另外, 从式(6.5.2)可看出, 来源于p=0, q=1分量最强的干扰哨声要求fc与fI的差值在音频范围内, 这个条件在整个中波波段都不会满足。尤其是采用高中频(中频高于接收信号频段), 还可以避免镜频干扰和其它一些寄生通道干扰。 (2) 提高混频电路之前选频网络的选择性, 减少进入混频电路的外来干扰, 这样可减小交调干扰和互调干扰。对于镜频可采用陷波电路将它滤掉。 (3) 采用具有平方律特性的场效应管、 模拟乘法器或利用平衡抵消原理组成的平衡混频电路或环形混频电路, 可以大大减少无用组合频率分量的数目, 尤其是靠近有用频谱的无用组合频率分量, 从而降低了各种组合频率干扰产生的可能性。 6.5.3混频电路 晶体管混频电路具有增益高、噪声低的优点, 但混频干扰大。场效应管混频电路由于其平方律特性, 受混频干扰小。 二极管平衡和环行混频电路结构简单, 噪声低, 受混频干扰小, 工作频率高(可达近千兆赫)。采用模拟乘法器组成的集成混频电路, 不但受混频干扰小, 而且调整容易, 输入信号动态范围较大。 1 晶体管混频电路 图6.53是晶体管混频电路原理图。 图中L1C1调谐于输入信号us的载频fc, L2C2调谐于中频fI, 本振uL与VBB0迭加后作为偏置电压。 由于us振幅很小, uL振幅较大, 所以可视为线性时变工作状态。采用5.3节的分析方法, 参照式(5.3.4)可以看到, iC中含有的组合频率分量为: |nfL±fc|, n=0, 1, 2… 其中中频电流分量为: iI= g1Uscos 2πfIt, fI=fL-fc (6.5.6) 上式中Us是us的振幅, g1是晶体管跨导中的基频(fL)分量振幅。 可令式(5.3.2)中n=1, ω1=ωL, 对g(t)进行积分而求出g1, 而跨导g(t)= 若定义混频跨导gc= , 即中频电流振幅II与输入信号振幅Us之比, 则有: 若L2C2回路总谐振电导为gΣ, 则可以求得混频电压增益 给混频电路提供的本振信号可以由单独的振荡电路产生, 也可以由混频晶体管本身产生。由一个晶体管同时产生本振信号、实现混频的电路通常称为变频器。图6.5.4给出了一个典型收音机变频器电路。在图6.5.4中, 输入信号us和本振信号uL分别加在晶体管的基极和发射极上, 输出中频信号uI由连接集电极的谐振回路取出。本振电路是由晶体管、振荡回路(L4C6、C7、C8)和反馈电感L3组成的变压器耦合反馈振荡器。 双联可变电容作为输入回路和本振回路的统一调谐电容, 使得在整个中波波段内, 本振频率fL均与输入载频fc同步变化, 二者之差恒等于中频fI。 变频器的优点是电路简单, 节省元器件, 缺点是本振频率容易受信号载频的牵引, 无法兼顾使振荡与混频都处于最佳工作状态, 且一般工作频率不高。 例 6.4在图6.5.3所示晶体管混频电路中, 已知本振电压uL=ULmcosωLt,且uLus,晶体管转移特性为iC=a0+a1uBE+a2u2BE+a3u3BE+a4u4BE,输出回路谐振电阻是RΣ, 求混频跨导gc和混频电压增益Auc。 解: 先求时变跨导g(t), 然后再根据式(5.3.2)对g(t)积分, 求出g(t)傅里叶展开式中的基波振幅g1, 再由式(6.5.7)和(6.5.8)得到gc和Auc。 因为 所以 将VB
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