习题册第4he章答案.docVIP

【4-1】填空： 1．场效应管从结构上分成 和 两种类型，它的导电过程仅仅取决于 载流子的流动；因而它又称做 器件。 2．场效应管属于 控制型器件，而双极型晶体管是 控制型器件。4.7.1 a 、 b 所示，分别确定这两个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压，低频跨导）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。 a b 图4.7.1 题4-2特性曲线 解： （a）P沟道增强型MOS管，开启电压UGS（th）＝－2V，IDO -1mA 在工作点（UGS＝－5V， ID＝－2.25mA）处， gm （b）N沟道耗尽型MOSFET，夹断电压， 在工作点（UGS＝－2V， ID＝1mA）处， gm＝ 1 【4-】已知图4.7. a 所示电路中场效应管的转移特性如图4.7. b 所示。求解电路的Q点和Au。 图4.7. 题4-电路图，可得IDO 1mA 由图4.3 a 电路图可得：UGSQ 3V UDSQ VDD-IDQRd 15V-0.25mA10 kΩ 12.5V Au -gmRd -0.5mS·10 kΩ -5 【4-4】电路如图4.7.所示，设MOS管的参数为UGS th 1V，IDO 500uA。电路参数为VD 5V，－VSS －5V，Rd 10kΩ，R 0.5kΩ，IDQ 0.5mA。若流过Rg1、Rg2的电流是IDQ的1/10，试确定Rg1和Rg2的值。 图4.7. 题4-电路图图4.7. 题电路图，即0.5 0.5 uGS/1-1 2 由此可得：uGS 2V 流过Rg1、Rg2的电流约为0.05mA，即有 Rg1+Rg2 10/0.05kΩ 200 kΩ 于是可得：Rg2 45 kΩ，Rg1 155 kΩ 【4-5】电路如图4.7.所示，Rd 10kΩ，Rs R 0.5kΩ，Rg1 kΩ，Rg2 35kΩ，UGS th 1V，IDO 1mA，电路静态工作点处UGS 1.5V。试求共源极电路的小信号电压增益Au uo/ui和源电压增益Aus uo/us。 解： UDSQ VDD- -VSS - IDQ Rd +R 5V+5V-0.25mA10.5 kΩ 7.375V Ri Rg1//Rg2 28.875 kΩ 【4-6】电路如图4.7.，场效应管的rds RD，要求： 1. 画出该放大电路的中频微变等效电路；2. 写出、Ri和Ro的表达式； 3. 定性说明当Rs增大时，、Ri和Ro是否变化，如何变化？ 4. 若CS开路，、Ri和Ro是否变化，如何变化？写出变换后的表达式。 此题的场效应管是增强型的，所以要用增强型的转移特性曲线方程式 由以上三个式子可求出电路的静态工作点。 1. 略 2. 电压增益 Au –gm（Rd// RL） 对转移特性曲线方程求导数，可得 输入电阻 输出电阻 3. Rs的增大，会使UGS有所下降，静态工作点的ID下降，gm有所减小，Au有所下降，对Ri和Ro没有什么影响。 4. Cs开路，对静态工作点没有影响，但电压增益下降。 Cs开路，对Ri和Ro没有什么影响。 【4-7】在图4.7.所示电路中，已知UGS －2V，管子参数IDSS＝－4mA，Up＝UGS off －4V。设电容在交流通路中可视为短路。 1. 求电流IDQ和电阻RS。 2. 画出中频微变等效电路，用已求得的有关数值计算Au，Ri和Ro（设rDS的影响可以忽略不计）。 3. 为显著提高｜Au｜，最简单的措施是什么？ 图4.7. 题4-电路图 图4.7. 题4-电路图 场效应管是耗尽型，漏极电流可由下式算出 为显著提高|Au|，应在RS两端并联旁路电容。 【4-8】场效应管放大电路如图4.7.所示，其中Rg1 300，Rg2 120，Rg3 10，R Rd 10，CS的容量足够大，VDD＝16V，设FET的饱和电流，夹断电压Up UGS off －2V，求静态工作点，然后用中频微变等效电路法求电路的电压放大倍数。若CS开路再求电压放大倍数。g3中无电流。所以，Rg1和Rg2分压点的电位与栅极电位相等，这种分压偏置可以提高放大电路的输入电阻。由电路得： 上述方程组代入数据得两组解： 第一组：ID 0.46mA UGS -0.6V 第二组：ID2 0.78mA UGS -3.8V＜Up 第二组数据不合理，故工作点为：ID 0.46mA ，UGS -0.6V 2. 用微变等效电路求电压放大倍数 放大器的微变等效电路如图2-13（b）； 图2-13 b 2-13题的中频微变等效电路 图2-13 c 无CS的微变等效电路 对转移特性曲线方程式求导数，可得 Au －6.9 3. CS开路时的电压放大倍数 CS开路实际上就是电路出现电流串联负反馈，电压增益下降。如果没有学习反馈， 仍然可以用