模拟电子技术第章常用半导体器件题解.doc

第1章 常用半导体器件 自 测 题 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。 图T1.3 解： 上图中，二极管分别工作在导通、截止、导通、截止、导通、截止状态，故可得输出电压：UO1=1.3V，UO2=0，UO3=-1.3V，UO4=2V，UO5=1.3V，UO6=-2V。 习 题 1.2 电路如图P1.2所示，已知ui=10sinωt(V)，试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解： ∵ 当ui＞0时，二极管D导通，uo=ui； 当ui＜0时，二极管D截止，uo=0。 ui和uo的波形如解图P1.2所示。 1.3 电路如图P1.3所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解： 当ui＞3.7V时，二极管D1导通，D2截止uo=3.7V； 当ui＜-3.7V时，二极管D2导通，D1截止uo=-3.7V； 当-3.7V＜ui＜3.7V时，二极管D1、D2均截止，uo=ui。 ui和uo的波形如解图P1.3所示。 Z＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。 (1)分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值； (2)若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.6 解：(1)①当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则， 稳压管未击穿，故。 ②当UI＝15V时，若UO＝UZ＝6V，则， 稳压管未击穿，故。 ③当UI＝35V时，若UO＝UZ＝6V，则，，稳压管工作在稳压状态，故。 (2)29mA＞IZM＝25mA，稳压管因功耗过大而损坏。1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。 图P1.9 解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表P1.9所示。 解表P1.9 管号 T1 T2 T3 T4 T5 T6 上 e c e b c b 中 b b b e e e 下 c e c c b c 管型 PNP NPN NPN PNP PNP NPN 材料 Si Si Si Ge Ge Ge 1.10 电路如图P1.10所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。试分析uI为0V、1V、3V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。 解：(1)当uI =0时，T截止，uO=12V。 (2)当uI =1V时，设T工作在放大状态， 则 μA 故假设成立，T处于放大状态，。 图P1.10 (3)当uI ＝3V时，设T工作在放大状态，则 μA 故假设不成立，T处于饱和状态，。 1.12 分别判断图P1.12所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 图P1.12 解： (a)T的发射结正偏，集电结有可能反偏，有可能工作在放大状态。 (b)同理可得，T有可能工作在放大状态。 (c)T的发射结反偏，不能工作在放大状态。 (d)T的发射结会因电流过大而损坏，不能工作在放大状态。 (e)T的发射结正偏，集电结有可能反偏，有可能工作在放大状态。 1.16 分别判断图P1.16所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。 图P1.16 解： (a)为N沟道结型场效应管，UDS0，UGS0，所以有可能工作在恒流区。 (b)为N沟道增强型MOS管，UGS=0，所以处于截止状态，不可能工作在恒流区。 (c)为N沟道增强型MOS管，UGS0，所以处于截止状态，不可能工作在恒流区。 (d)为P沟道结型场效应管，UDS0，UGS0，所以有可能工作在恒流区。 integrated energy, chemicals and textile Yibin city, are the three core pillars of the industry. In 2014, the wuliangye brand value to 73.58 bil