第2章4MOS逻辑门综述.pptVIP

2.4 MOS逻辑门 单极型MOS Metal Oxide Semiconductor 集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 下面主要介绍NMOS和CMOS门电路。 NMOS管的开关特性 MOS管和晶体管一样可以当开关用。 如图所示，RD为负载电阻，T为负载。 NMOS管的开关特性 当用增强型NMOS做工作管时，如输入电压vI为高电平（大于开启电压VT）则NMOS管导通，开关闭合，输出电压vO为低电平。 NMOS管的开关特性 输入电压vI为低电平时则NMOS管截止，开关断开，输出电压vO为高电平。 PMOS管的开关特性 如输入电压vI为低电平则NMOS管截止，如同开关断开一样输出电压vO为高电平。 2.4.1 NMOS 门电路 ⒈NMOS 反相器 ⒉NMOS 与非门 ⒊NMOS 或非门 ⒋NMOS 与或非门 ⒌NMOS 异或门 ⒍NMOS 三态门 ⒈NMOS反相器 T1管为工作管 驱动管、控制管 ，T2管为负载管，故此电路称为有源负载反相器。 ⒉NMOS与非门 具有两个输入端的NMOS 与非门电路如图2-27所示。 工作原理 当输入A、B都为高电平时，串联的两个工作管T1、T2都导通，电路的输出即为低电平； 工作原理 当输入A、B中有一个为低电平时，则串联的两个工作管T1、T2中必有一个截止，则使电路输出为高电平。 电路的输出与输入之间为与非逻辑关系，即 ⒊NMOS或非门 工作原理 因为两个工作管T1、T2相并联，所以只要输入A、B中有一个为高电平时，则相应的工作管必导通，使电路的输出为低电平； 工作原理 只有输入A、B中都为低电平时，则并联的两个工作管T1、T2都截止，则使电路输出为高电平。 电路的输出与输入之间为或非逻辑关系，即 ⒋NMOS 与或非门 工作原理 NMOS 与或非门电路中只要A、B和C、D两组输入中任一组输入全为高电平，则串联的两个工作管T1、T2或T3、T4才能都导通，使电路的输出为低电平； 工作原理 当两组输入 A、B和C、D 中都有低电平时，则每组串联的工作管中必有相应的工作管截止，则使电路输出为高电平。 电路的输出与输入之间为与或非逻辑关系，即 ⒌NMOS异或门 工作原理 NMOS异或门电路由两部分组成： T1、T2和T3管组成同或门； T4、T5构成非门。 工作原理 当A、B都为高电平或都为低电平时，T1、T2都截止，F1为高电平，F为低电平； 工作原理 当A、B中有一个为高电平而另一个为低电平时，T1和T2中必有一个管导通，致使F1为低电平，F为高电平。 工作原理 电路的输出与输入之间为异或逻辑关系，即 ⒍NMOS三态门 NMOS三态门电路中A为数据输入端，E为控制端，F为输出端。 工作原理 当E为高电平时，两个或非门G1、G2输出均为低电平，致使T1、T2管都截止，电路输出F呈现高阻状态； 工作原理 若E为低电平时，两个或非门G1、G2都起非门作用，若A为低电平时，或非门G1输出为高电平，使T1管导通，同时使G2输出为低电平，使T2管截止，电路输出为低电平，F A， 电路具有三态输出功能。 2.4.1 CMOS门电路 Complementary-Symmetry Metal-Oxide Semiconductor ⒈CMOS反相器 ⒉CMOS与非门 ⒊CMOS或非门 ⒋CMOS三态门 ⒌CMOS传输门 ⒈CMOS反相器 CMOS反相器是构成CMOS集成电路的基本单元。 电路组成 如图2-32为CMOS反相器电路，是由互补的增强型NMOS管T1和PMOS管T2串联组成的。 两管的栅极连在一起，作为反相器的输入端，两个管子的漏极连在一起作为反相器的输出端。 电源电压条件 CMOS反相器要求电源电压大于两个管子开启电压的绝对值之和，即 VDD＞|VT1|+|VT2|。 工作原理 vI输入低电平时:当输入vI为低电平VIL且小于VT1时，T1管截止。 但对于PMOS负载管，由于栅极电位较低，使栅源电压绝对值大于开启电压的绝对值|VT2|，因此T2充分导通。 vI输入低电平时 由于T1的截止电阻远比T2的导通电阻大得多，所以电源电压差不多全部降落在工作管T1的漏源之间，使反相器输出高电平VOH≈VDD。 vI输入高电平时 当输入vI为高电平VIH且大于VT1时，T1管导通。 但对于PMOS负载管，由于栅极电位较高，使栅源电压绝对值小于开启电压的绝对值|VT2|，因此T2管截止。 vI输入高电平时 由于T2的截止时相当于一个大电阻，T1的导通电阻相当于一个较小的电阻，所