第1章 常用半体器件2.doc

授课时间 2010年3月2日第9星期二第大节 思考题 P 70 1.10 P71 1.12 教学后记 教学过程 时间分配 1.3 双极型晶体管 1.3.1 晶体管的结构、类型及电路符号 内部条件 发射区：掺杂浓度较高 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 1.3.2 晶体管的电流放大作用 一、晶体管内部载流子的运动 二、晶体管的电流分配关系 IE= IEN +IEP= ICN+ IBN+ IEP IB= IBN +IEP-ICBO?IBE IC=ICN+ICBO ?ICN IE= IB +IC 三、晶体管的共射电流放大系数 ICN与IB ′之比称为电流放大倍数 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。称为外部条件。 晶体管的共基电流放大系数 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 一、输入特性曲线 二、输出特性曲线 输出特性三个区域的特点: (1)放大区：发射结正偏，集电结反偏。即： IC=bIB , 且 DIC = b DIB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即：UCEUBE ，bIBIC，UCE?0.3V (3) 截止区：发射结反偏，集电结反偏。即：UBE 死区电压，IB=0，IC=ICEO?0 三、应用举例 1.16 电路如图P1.16所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。 解：（1）当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。 （2）当VBB＝1V时，因为 μA 所以T处于放大状态。 （3）当VBB＝3V时，因为 μA 所以T处于饱和状态。 1.3.4 晶体管的主要参数 1. 电流放大倍数和 2.集-基极反向截止电流ICBO 3. 集-射极反向截止电流ICEO 4.集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的b值的下降，当b值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 5.集-射极反向击穿电压 当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25°C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 6. 集电极最大允许功耗PCM 7. 特征频率fT 电流放大系数下降到1时的信号频率称为特征频率1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响 1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响 一、温度对ICBO的影响 实验证明，温度每升高10℃， ICBO增加约一倍；反之，当温度降低时ICBO减小。另外，硅管比锗管受温度的影响要小得多。 二、温度对输入特性的影响 实验证明，温度每升高1℃， uBE大约下降2～2.5mV。对特性曲线的影响如图1.3.8所示。 三、温度对输出特性的影响 §1.4 场效应管 场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 场效应管有两种: 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 耗尽型场效应管和增强型场效应管 1.4.1 结型场效应管 一、结型场效应管的工作原理 图1.4.1 结型场效应管的结构和符号 1.uDS ＝0时uGS对导电沟道的控制作用 2.UGS(off) uGS 0且uDS 0时uDS对漏极电流iD的控制作用 3.当uGD UGS(off)时，uGS对漏极电流iD的控制作用 二、结型场效应管的输出特性曲线 1. 输出特性曲线 2.转移特性 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 1.4.2 绝缘栅场效应管 一、N 沟道增强型MOS管 1.工作原理 uDS ＝0时uGS对导电沟道的影响 uGS为大于UGS(th)的某一值时uDS对iD的影响 2.特性曲线与电流方程 二、N 沟道耗尽型MOS管 1.4.3 场效应管的主要参数 integrated energy, chemicals and textile Yibin city, are the three core pillars of the