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光电综合设计 学院：光电工程学院 专业：光电信息工程 姓名：徐一 学号： 2016年1月4日～2016年1月15日 目 录 一、课题1：半导体中载流子浓度的计算分析 1 1.1.课题任务要求及技术指标 1 1.2.课题分析及设计思路 1 1.3.系统设计（建模） 1 1.4.仿真结果与结果分析 2 二、课题2：光学系统中的物像关系 4 2.1.课题任务要求及技术指标 4 2.2.课题分析及设计思路 4 2.3.系统设计（建模） 5 2.4.仿真结果与结果分析 7 三、课题3：椭圆偏振光的仿真计算 9 3.1.课题任务要求及技术指标 9 3.2.课题分析及设计思路 9 3.3.系统设计（建模） 9 3.4.仿真结果与结果分析 10 四、课题7：光学谐振腔的设计 13 3.1.课题任务要求及技术指标 3 3.2.课题分析及设计思路 3 3.3.系统设计（建模） 3 3.4.仿真结果与结果分析 3 五、课题11：光电探测器光电流的计算 3 3.1.课题任务要求及技术指标 3 3.2.课题分析及设计思路 3 3.3.系统设计（建模） 3 3.4.仿真结果与结果分析 3 六、课程设计小结 4  一、课题1：半导体中载流子浓度的计算分析 1.1.课题任务要求及技术指标 设计任务： 若锗中含有一定数量的杂质元素Sb，试根据要求分析杂质浓度与电离度以及电离温度之间的关系： （1）当Sb浓度分别为和时，计算杂质99％，90％和50％电离时的温度各为多少？ （2）根据一定杂质类型和杂质浓度，画出电离度和温度的关系图线，并确定半导体处于强电离区（电离度90％）的温度范围。 设计要求： （1）具有友好输入输出界面； （2）调整输入数据，得出相应结果，并进行分析。 1.2.课题分析及设计思路 本题是已知掺杂一定数量杂质的半导体，分析其杂质浓度、电离度及电离温度之间的关系，并且在已知杂质浓度的条件下根据电离度计算温度。由固体电子导论中载流子浓度的知识，随着温度升高，电离程度加大，载流子浓度也增加，但温度进一步升高后，杂质全部电离，此时以本征激发为主，载流子浓度迅速增加，本题中锗中掺Sb时，形成n型半导体，任务是要作出一定掺杂浓度下电离度和温度的关系曲线，计算公式如下： 浓度为1014时电离度与温度的关系式为： D=1-exp(116./T)*10^(14)/10^(15)./T.^(1.5) 浓度为1017时电离度与温度的关系式为： D=1-exp(116./T)*10^(17)/10^(15)./T.^(1.5) 1.3.系统设计（建模） global a; global b; c1=solve(116/T=1.5*log(T)-2.3); c2=solve(116/T=1.5*log(T)-9.2); c3=solve(116/T=1.5*log(T)); c4=solve(116/T=1.5*log(T)-6.9); c5=solve(116/T=1.5*log(T)+3); c6=solve(116/T=1.5*log(T)-3.9); set(handles.edit1,String,); switch a case 1 if b==1 set(handles.edit1,String,double(c1)); elseif b==2; set(handles.edit1,String,double(c3)); elseif b==3; set(handles.edit1,String,double(c5)); end; case 2 if b==1 set(handles.edit1,String,double(c2)); elseif b==2; set(handles.edit1,String,double(c4)); elseif b==3; set(handles.edit1,String,double(c6)); end; end 1.4.仿真结果与结果分析 由程序运行结果可以得出在不同的杂质浓度下电离度与温度的关系曲线，并且可以进一步发现，在杂质浓度一定的条件下，随着温度的升高，电离度也越来越大，并且逐渐趋于饱和，此时半导体中为高温本征激发