第17讲 第十导体及二极管(一)(2011年新版).docVIP

第2篇 电子学 第10章 半导体及二极管 大纲要求：掌握二极管和稳压管特性、参数 了解载流子，扩散，漂移；PN结的形成及单向导电性 10.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著改变。根据掺入杂质的化合价不同，杂质半导体分为N型和P型两大类。 （1）N型半导体 在4价元素的硅（或锗）晶体中，掺入微量的5价元素磷（或砷、锑等）后，磷原子将散布于硅原子中，且替代了晶体点阵中某些位置上的硅原子。 通常，掺杂所产生的自由电子浓度远大于本征激发所产生的自由电子或空穴的浓度，所以杂质半导体的导电性能远超过本征半导体。显然，这种半导体中自由电子浓度远大于空穴浓度，所以称电子为多数载流子（majority carrier，简称多子），空穴为少数载流子（minority carrier，简称少子）。因为这种半导体的导电主要依靠电子，所以称为Ｎ型半导体或电子型半导体。 （2）P型半导体在硅（或锗）的晶体中掺入微量的3价元素硼（或铝、铟等）后，杂质原子也散布于硅原子中，且替代了晶体点阵中某些位置上的硅原子。 在这种半导体中，空穴是多子，自由电子是少子，它的导电主要依靠空穴，因此称为P型半导体或空穴型半导体。 10.1.3 半导体中的两种电流 （1）漂移电流：???自由电子和空穴在电场作用下的定向运动所形成的电流。 （2）扩散电流：同一种载流子从浓度高处向浓度