半导体物理与微电子电路.docVIP

《半导体物理与微电子电路》 科目代码879 考试大纲 特别提醒：本考试大纲仅适合2015年硕士研究生入学考试。该门课程包括两部 分内容，（－）半导体物理部分，占75分。（二）微电子电路部分，占75分。 半导体物理部分 考研建议参考书目 《半导体物理学》 第7版 ，刘恩科编著，电子工业出版社。 基本要求 （1）知晓Si、GaAs、InP、GaN、SiC等半导体材料的晶格结构、能带特点。 （2）掌握晶体材料能带产生的原因，明确导体、半导体、绝缘体的能带特点，掌握半导体中电子的状态和能带；掌握布里渊区、有效质量、空穴等概念及其意义。 （3）掌握半导体中杂质所引入的能级，掌握施主杂质、受主杂质、杂质的补偿、等电子陷阱、深能级杂质等概念，熟悉点缺陷、位错等概念。 （4）掌握半导体中载流子的统计分布，明确费米能级的意义，明确玻耳兹曼近似的条件与简并化条件，掌握电子浓度和空穴浓度的计算公式，明确载流子浓度乘积的特性；了解低温载流子冻析效应、禁带变窄效应等概念。 （5）掌握本征半导体与非本征半导体的载流子分布的特点、基本关系式、温度特性等，明确多子与少子的概念与特性。 （6）掌握载流子迁移率的概念和意义，熟悉载流子散射及其对迁移率的影响；掌握电导率与迁移率和载流子浓度的关系，掌握温度在其中的作用规律；明确强电场下载流子的运动特点，熟悉多能谷散射与耿氏效应。 （7）掌握载流子的复合与产生、非平衡载流子的寿命、准平衡与准费米能级；熟悉复合理论，明确复合中心与陷阱的特点。。 （8）掌握爱因斯坦关系、连续性方程，掌握非平衡载流子在电场作用下的运动特点。 （9）掌握pn结形成机制、能带图、结电容，掌握空间电荷区、接触电势差等基本概念；熟悉pn结电流电压特性，了解pn结电流电压特性偏离理想方程的因素；熟悉pn结击穿特点、pn结隧道效应等概念。 （10）掌握金属与半导体接触下的能级图、接触电势差，掌握表面态对接触势垒的影响，熟悉肖特基二极管概念，熟悉其与pn二极管的不同。 （11）熟悉MIS结构的基本特点，熟悉半导体异质结构的产生。 （12）掌握霍耳效应，了解半导体发光的基本原理。 （二）微电子电路部分 1. 考研建议参考书目 一、丘关源，《电路》（第5版），高等教育出版社 二、童世白，华成英，《模拟电子技术基础》（第四版），高等教育出版社 三、Adel S. Sedra, Kenneth Carless Smith，微电子电路（第五版上、下册），电子工业出版社 2．基本要求 要求学生掌握电路的基本理论知识和分析方法；了解基本电子线路的工作原理和分析方法；熟悉各种功能单元电路的工作原理和设计分析方法。 一、电路基本概念 1 基本电路元件 2 基尔霍夫电路定律 二、电路分析的基本方法和定理 1 电阻电路的一般分析方法 2 电路定理（包括网孔电流法、节点电压法、叠加定理、替代定理、戴维南定理和诺顿定理） 三、正弦交流电路 1 正弦交流电的基本概念 2 正弦交流电路的相量分析方法 3 三相交流电的基本概念 四、过渡过程的经典解法 1 一阶电路的响应 2 二阶电路的响应 五、二极管 1 二极管的结构和工作原理 2 二极管应用电路的分析 六、三极管 1 三极管的结构和工作原理 2 三极管放大电路的构成及其分析 七、场效应晶体管 1 场效应晶体管的结构和工作原理 2 场效应晶体管放大电路的构成及其分析 八、运算放大器 1 运算放大器的理想模型 2 运算放大器基本应用电路的设计分析 3 运算放大器性能参数及其对电路的影响 4 运算放大器的大信号分析 九、差分和多级放大器 1 差分放大器的结构及其分析 2 镜像电流源的结构及其分析 3 有源负载的作用 4 多级放大器的分析 十、频率响应 1 传输函数和波特图 2 谐振与滤波器 3 放大器频率响应分析（包括低频响应和高频响应） 十一、磁耦合电路 1 磁耦合基本概念 2 互感耦合电路分析 十二、反馈 1 反馈原理 2 四种负反馈组态分析 3 负反馈电路的稳定性问题 十三、输出级和功率放大器 1 A类、B类和AB类输出级电路分析 2 开关功率放大器基本概念 十四、振荡电路 1 反馈振荡器工作原理 2 LC正弦波振荡器设计和分析 3 石英晶体振荡器基本概念 十五、数模和模数转换电路 1 数模转换的工作原理和实现方法 2 模数转换的工作原理和实现方法