软开关弧焊逆变源的控制技术.doc

　软开关弧焊逆变电源的控制技术 　　在功率开关器件中，MOSFET工作频率高，但目前容量还不高，它是开发轻型便携式弧焊逆变 器的首选器件。IGBT具有控制性能好，容量大的综合优势，特别适合用于开发中大功率的弧焊逆变器，IGBT性能的改进主要体现在集射极间饱和电压Uce和开关时间的不断下降，产品 的耐压、电流容量不断提高。德国Semikron公司针对IGBT的结构缺陷加以改进，推出单硅型 IGBT。它在结构上的低电感设计和软特性快速可控向寿命二极管结合，大大减少了关断时的 电压尖峰，不需RCD吸收电路；没有IGBT中的N+扩散层，拖尾电流低，无擎住效应；开 通和关断时，电流和电压的交叉点低，且交叠的区域窄，开关损耗很小。日本Toshiba公司 等已开发出大容量的IGBT智能型功率模块IPM。　　在弧焊逆变器的开关器件控制中，主要有如下方式可供选择：(1)PWM硬开关型。在这种工作方式下，开关器件在开通和关断期间，其电压和电流都不为零，存在开通和关断损耗，即硬开关工作状态。(2)谐振软开关型。目前，谐振电路的拓朴结构有上百种，总起来说，可分为零电流和零电压两种方式。由于在电源开通和关断期间，开关管上的电流或电压为零，其损耗亦为零，即软开关工作状态。(3)软开关相移PWM控制技术，充分利用PWM和谐振软开关二者的优势，这一技术将会成为弧焊逆变器的重要控制方式。　　 PWM控制芯片由模拟和数字电路组成。通过模拟电路的反馈决定被调制脉冲的宽度，根据模 拟电路反馈方式不同可分为电压型和电流型。数字电路用来实现解码和脉冲分配等逻辑功能，依据数字电路脉冲分配方式不同可分为同步式和移相式。具体分类见图1所示。 图1　PWM控制技术分类 　　图2a为电压模式PWM控制，它只采样输出电压，作为反馈信号。变换器是一单闭环二阶控制 系统。线电压和负载的任何变化，必须由输出电压和参考电压差值决定的误差信号进行反馈 调节。由于电源输出滤波电容上的电压信号相对于电流产生90°的延迟，因此，电压型控制 的响应速度慢，在全桥电路中易产生偏磁和电流尖峰。 a)电压模式　　　　　　　　　　　　　　　　　　b)电流模式　　图2　两种PWM控制模式 　　图2b为电流型PWM控制，它针对电压型的缺陷，增加了一个电流反馈环节，它既有形成误差 信号的外环，又有开关管瞬态电流内环。开关管电流不是独立的变量，变换器成为无条件的 一阶稳定系统。由于开关管电流上升斜率决定于Vin和Vout的差值，可以立即响应线电压的 变化，能做到逐脉冲限流。输出滤波器对于反馈环节只有单个极点，与电压型相比，只需要 简单的补偿，且有更高的增益带宽［2］。　　目前，为了降低开关应力，提高输出功率度和功率因数等，已提出了多种新型的主电路拓朴 结构［3］，而这些电路拓扑经改进后是可以移植到弧焊逆变器中来的。 2　软开关弧焊逆变电源试验结果及分析 　　图3所研制的全桥软开关手弧焊逆变器的主电路原理图。主开关器件采用75A/1200V的二单元 IGBT模块，其中IGBT模块1包含VT1、VD1和VT3、VD3，构成超前桥臂，在超前桥臂的每只开 关管集电极与发射极之间分别并联5nF的高频电容C1和C3；IGBT模块2包含VT4、VD4和VT2、V D2，构成滞后桥臂。主变压器变比为22：3，可以表示为理想变压器T1及其漏抗LK。隔直电 容C的电容值为1.2μF。Ls1和Ls2为饱和电感。输出整流快速二级管模块为200A/400V的MURP 20040CT。该电源的控制电路采用UC3875，工作在电压模式下。它输出四个驱动信号OUTA、O UTB、OUTC、OUTD，其中OUTA、OUTB是超前桥臂上下管子的驱动脉冲，脉宽恒定，相隔1.5 μs的死区，相位相反；OUTC、OUTD是滞后桥臂的驱动脉冲。当OUTA和OUTD、OUTB和OUTC分 析共同导通时，电源向负载传送功率。通过反馈调节共同导通脉宽的大小，可以控制输出电 流或电压，从而实现逆变器的调节特性、输出静特性和动特性。 图3　软开关全桥弧焊逆变器的主电路原理图 　　软开关过程的试验结果见图4。软开关实现过程如下：在超前管驱动信号的前沿，开关管的 集射极间电压Uce为零，电流流过与其反并联的二极管，超前管实现零电压开通；超前管的 关断靠并联在管子集射极间的吸收电容近似实现零电压关断。滞后管的开通时，饱和电抗器 处于不饱和状态，电抗值很大，滞后管处于零电流开通；滞后管的关断，利用隔直电容C加 快环流衰减到零，使滞后管处于零电流开通状态。实际焊接试验表明：开关管的安全性和可 靠性明显提高。可以相信，全桥软开关相移PWM控制电路将会成为发展大功率弧焊逆变器的 主流技术。 　　　　 　　　　 a)超前管驱动和电压压波形　　　　　　　　　b