管式PECVD艺流程.docVIP

目的 制定管式PECVD工序工艺流程规范，作为工艺人员工作依据，保证镀膜质量。 适用范围 管式PECVD工序所有工艺人员。 工艺人员职责 3.1 负责管式PECVD工序生产工艺运行的正常性、稳定性。 3.2负责部门内工艺运行原始资料的累积，保管，随时检查工艺运行状态，并记录异常，积极处理工艺 异常。 3.3 负责应对管式PECVD设备常见、突出、重大的工艺异常，制定落实整改措施、预防措施、应急方案。 四、名词定义 4.1 PECVD：即等离子增强化学气相沉积，在外加能量的作用下，NH3、SiH4发生电离，反应后在硅片表面生成SiN薄膜。 4.2 管式PECVD：区别于板式PECVD，镀膜过程中，硅片插在石墨舟中，由SiC桨送入石英炉管内进行镀膜，因此称为管式PECVD。此种镀膜方式中，石墨舟及硅片是作为电极的一部分参与镀膜，在外加高频电源的作用下，石墨舟片之间形成电场，将通入的SiH4和NH3电离，在硅片表面反应生成SiN膜。 五、工作内容 5.1 PECVD工序产品检验点 5.1.1 镀膜后过程检验内容：膜厚、折射率 5.1.2 检验仪器：椭偏仪 5.2 工艺参数及SiN膜的控制规范 5.2.1 管式PECVD工艺参数（SiH4、NH3气体流量，高频功率、炉管内压强）均在程序中设定，不同功能对应的工艺程序也不一样，正常生产时，由工艺人员指导生产人员调用正确的程序。 最常用的程序主要有两种：预处理舟程序、正常镀膜程序（程序名待定）。 预处理舟程序的作用是，因为SiN在石墨上与硅片上的沉积速度有差异，使用刚清洗好的石墨舟镀膜时，硅片与石墨片接触的地方（即硅片边缘）的SiN膜偏薄，为了减少此差异，需要对刚清洗好的石墨舟进行饱和，预先在石墨舟表面沉积一层SiN薄膜。此外，高温环境也对石墨舟起到干燥作用。 在太阳能生产工艺中，镀膜主要有两种作用：钝化与减反射，正常镀膜过程的作用就是达到此目的。 5.2.2 管式PECVD镀膜各项参数（待定）： 参数 T-Paddle Pressure HF Power SiH4 NH3 范围值 5.2.3 SiN膜的控制要求 SiN膜的具体控制范围可见控制要求（控制要求另行规定）。 5.3 膜厚、折射率异常的处理方法 5.3.1 膜厚偏薄时，可适当增加镀膜时间，偏厚则减少镀膜时间。更改时间的效果在下次镀膜时体现。 5.3.2 折射率的大小可通过更改SiH4和NH3的流量比来进行调节。提高SiH4与NH3的流量比，可提高折射率。对于centrorherm的管式设备来讲，正常生产过程中，折射率比较稳定，一般不做修改。若是实验需要，可在程序中进行修改，修改后一定要另存为其他的文件名，避免与正常程序混淆。 5.4 软件使用方法 5.4.1 工艺参数修改方法 管式PECVD的参数调整在控制电脑中进行，首先打开桌面上的“CCC.RM”； 打开后，出现的标题栏下面出现几个图标，每个图标对应不同的功能，主要用到的有3个，见图1中标示； 点击第二个图标，在出现的对话框中输入密码； 输入密码之后，出现图3所示窗口，其中最右边一栏为“Recipe Pool”，所有的程序均保存在此Pool中。在Pool中选择要修改的程序，选中后点击下方的“check out”，被选程序则出现在中间一栏，再点击“Export/Import”； 点击“Export/Import”之后，出现图5所示的窗口，窗口主要有三栏，上一步中选择的程序出现在左边第一栏，左边两栏中间有方向相反的箭头，点击“→”，程序出现在第二栏，此时点击下面的“Edit”，出现显示程序内容的窗口； 在出现的程序窗口中，找到相应的参数并修改，修改完成之后保存，保存时根据需要选择“save”或是“save as”，注意，修改时，只可修改镀膜时间、气体流量、高频功率以及压强等数值，语句部分勿擅自更改； 保存完之后，关闭程序，回到图5所示的窗口，更改后的程序出现在在中间一栏，依次选中程序，点击“←”，并关闭此窗口； 回到图4所示的窗口，在中间一栏中依次选中程序名，点击“check in”将程序导入至“Pool”中，程序修改完成。 5.4.2 如何调用新程序 程序修改完之后，首先要将其加载到设备炉管，然后才能在该炉管中调用，未加载该程序的炉管则不能调用该程序，具体方法如下： 打开“CCC.RM”软件之后，点击左边第一个图标； 在出现的窗口中选择炉管号，然后从“Pool”中选择要加载的程序名，点击“←”将其加载至特定的炉管。 将程序加载至炉管之后，就可调用改程序。 5.4.3 如何查看运行过程记录 点击“CCC.RM”，在出现的窗口中点击最后面一个图标，之后出现如图11所示的窗口，按照图示点击相应的图标； 点击之后出现的对话框中，可以选择查询的炉管号、时间段