砷化铟量子点的光电性质 .docVIP

砷化銦量子點的光電性質 文／詹國禎 摘　要 零維的量子點具有三維侷限的載子及δ函數形式的能態密度，對高效能的光電子元件提供材質與結構的新研發方向。砷化銦成長在砷化鎵磊晶層上的量子點可用以製造1.3 μm或1.55 μm的雷射，並應用於長距離的光纖通訊。初步已証實可藉著量子點大小、被覆層成分及雷射元件設計而可產生1.3 μm雷射光，但高品質的長晶方法與機制，以及量子點內載子的能階、生命期與溫度的相關性，仍未充分瞭解。本文主要針對砷化銦量子點的成長、結構與光學特性，給予系統性的評述。 一、δ函數形式的能態密度，並對於量子點雷射的效能諸如低臨界電流、高溫度特性，以及高輝光效率等做出理論上的預測[1]。然而當時量子點製作以光蝕刻術為主，不容易得到品質良好、奈米尺度的量子點，雖量子尺寸效應的實驗結果一如理論上所預言，可是量子點雷射元件仍未被實現。 西元一九九四年，Marzin研究群運用砷化銦／砷化鎵異質結構層間晶格不匹配所引致的應力(幾何形變)而形成自組成的(或稱自聚集的)量子點(self-assembled QDs；SAQDs)，即是利用分子束磊晶成長術的「史傳斯基－克拉斯担諾夫長晶模式(Stranski-Krastanov growth mode；S-K growth mode)」發展自聚集量子點的長成[2]。此後SAQDs開始湧入相當多的學者參予研究行列，分別探討其基本的