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Primer 释义： 1.底漆（下涂涂料） 2.底火 primer 1.引物 2.处理剂 3.底漆；底涂料 4.初级读本 5.底胶 6.起动加油器 7.点海参 光刻工艺中如果使用HMDS做为增粘剂，请问具体的工艺步骤是什么？具体问题如下：1, HMDS是气相涂布在硅片表面，也就是硅片在HMDS的蒸汽中放置一会儿，温度约100-180度即可 2，HMDS处理后需要冷却后涂胶，但等待时间不能太长，过长处理效果会变差，建议4小时内完成涂胶 3，HMDS上面涂胶不影响HMDS的处理效果 4，HMDS本身是表面改性，HMDS本身不会涂在园片表面，因此不用担心去除HMDS层 主意：HMDS有生殖毒性，使用时候青年男女请谨慎使用 MSDS Material Safety Data Sheet 即化学品安全说明书，亦可译为化学品安全技术说明书或化学品安全数据说明书。是化学品生产商和进口商用来阐明化学品的理化特性（如PH值，闪点，易燃度，反应活性等）以及对使用者的健康（如致癌，致畸等）可能产生的危害的一份文件。 紫外线对我们身体的影响？如果直接面对着紫外线，它会直接射入肌肤底层，在肌肤底层分泌很多产生黑色素的络氨酸酶，当越来越多的沉淀在肌肤里面的时候，整个人看起来就会很暗沉，没有关泽。看起来也没精神，严重的还会在眼睑部位产生一些小斑点！ 又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。　光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形光刻胶的技术参数 a、分辨率（resolution 区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。 b、对比度（Contrast） 　　指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。 c、敏感度（Sensitivity） 　　光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值（或最小曝光量）。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光（DUV）、极深紫外光（EUV）等尤为重要。 d、粘滞性/黏度（Viscosity） 　　衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加；高的粘滞性会产生厚的光刻胶；越小的粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。光刻胶的比重（SG，Specific Gravity ??）是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体，粘滞性更高、流动性更差。粘度的单位：泊（poise），光刻胶一般用厘泊（cps，厘泊为1%泊）来度量。百分泊即厘泊为绝对粘滞率；运动粘滞率定义为：运动粘滞率 绝对粘滞率/比重。 单位：百分斯托克斯（cs） cps/SG。 e、粘附性（Adherence） 　　表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺（刻蚀、离子注入等）。 f、抗蚀性（Anti-etching）。 　　光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。 g、表面张力（Surface Tension） 液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。等离子刻蚀的原理可以概括为以下几个步骤： 　　●在低压下，反应气体在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体，等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团（Radicals） 　　●活性反应基团和被刻蚀物质表面形成化学反应并形成挥发性的反应生成物 　　●反应生成物脱离被刻蚀物质表面，并被真空系统抽出腔体。 　　在平行电极等离子体反应腔体中，被刻蚀物是被置于面积较小的电极上，在这种情况，一个直流偏压会在等离子体和该电极间形成，并使带正电的反应气体离子加速撞击被刻蚀物质表面，这种离子轰击可大大加快表面的化学反应，及反应生成物的脱附，从而导致很高的刻蚀速率，正是由于离子轰击的存在才使得各向异性刻蚀得以实现。