第四讲全控型电力电子器件.docVIP

第四讲 全控型电力电子器件 4.1 概述 门极可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor —GTO)在晶闸管问世后不久出现； 20世纪80年代以来，信息电子技术与电力电子技术在各自发展的基础上相结合——高频化、全控型、采用集成电路制造工艺的电力电子器件，从而将电力电子技术又带入了一个崭新时代； 典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体管(Giant Transistor——GTR)、电力场效应晶体管(Power MOSFET )、绝缘栅双极晶体管(Insulated-gate Bipolar Transistor— —IGBT或IGT)。 4.2 门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor —GTO） 门极可关断晶闸管是晶闸管的一种派生器件； 可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断； GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。 4.2.1 GTO的结构和工作原理 结构： 与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极； 和普通晶闸管的不同：GTO是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起。 图1 GTO的内部结构和电气图形符号 a) 各单元的阴极、门极间隔排列的图形 b) 并联单元结构断面示意图 c) 电气图形符号 工作原理： 与普通晶闸管一样，可以用图2所示的双晶体管模型来分析 是器件临界导通的条件。当(1+(21时，两个等效晶体管过饱和而使器件导通；当(1+(21时，不能维持饱和导通而关断 图2 GTO的双晶体管模型 GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别： （1）设计较大，使晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断； （2）导通时更接近1（≈1.05，普通晶闸管）导通时饱和不深，接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大； （3）多元集成结构使GTO元阴极面积很小，门、阴极间距大为缩短，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流 导通过程:与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅； 关断过程：强烈正反馈——门极加负脉冲即从门极抽出电流，则减小，使IK和减小，的减小又使和减小，又进一步减小的基极电流。当和的减小使时，器件退出饱和而关断，多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受能力强。 4.2.2 GTO的动态特性 开通过程： 与普通晶闸管类似，需经过延迟时间和上升时间。 关断过程： 与普通晶闸管有所不同 ?抽取饱和导通时储存的大量载流子——储存时间，使等效晶体管退出饱和。 等效晶体管从饱和区退至放大区，阳极电流逐渐减小——下降时间 残存载流子复合——尾部时间 通常比小得多，而比要长； 门极负脉冲电流幅值越大，前沿越陡，抽走储存载流子的速度越快，越短； 门极负脉冲的后沿缓慢衰减，在阶段仍保持适当负电压，则可缩短尾部时间。 图1-14 GTO的开通和关断过程电流波形 4.2.3 GTO的主要参数 GTO的许多参数和普通晶闸管相应的参数意义相同，以下只介绍意义不同的参数: 1) 开通时间：延迟时间与上升时间之和。延迟时间一般约1～2(s，上升时间则随通态阳极电流值的增大而增大； 2) 关断时间：一般指储存时间和下降时间之和，不包括尾部时间。GTO的储存时间随阳极电流的增大而增大，下降时间一般小于2(s； 不少GTO都制造成逆导型，类似于逆导晶闸管，需承受反压时，应和电力二极管串联； 3) 最大可关断阳极电流IATO : GTO的额定电流； 4)?电流关断增益(off 最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益 （1） 一般很小，只有5左右，这是GTO的一个主要缺点。1000A的GTO关断时门极负脉冲电流峰值要200A。 4.3电力晶体管 4.3.1术语用法： 电力晶体管（Giant Transistor——GTR，直译为巨型晶体管） 耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效 应用: 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代 4.3.2 GTR的结构和工作原理( 图1-15 ) 与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好 通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构 采