常见工艺中各种件的结构.docVIP

第2章 CMOS工艺中的器件结构 引言 本章是为非“电科”专业学生而写。在“设计与制造分离”的背景下，集成电路设计者是在厂家提供的“开发套件”（PDK）的基础上工作的，不需要从物理学开始学习器件的实现机理和制造细节。但为了学习版图设计，需要了解典型器件的结构。目前常见的集成电路工艺有以下几种：标准CMOS，也称逻辑CMOS工艺，是最基本的一种，一般只提供NMOS管和PMOS管两种晶体管和少量的电阻、电容等器件，主要用于实现纯粹的数字电路。混合信号CMOS工艺稍复杂一些，除基本MOS管外，至少还有一种衬底接地的PNP型晶体管和质量较高的电阻和电容。混合信号CMOS工艺可以实现基于CMOS技术的模拟电路。BiCMOS工艺比混合信号CMOS工艺还要复杂，其特征是支持垂直结构的NPN管和横向PNP管。BCD工艺更为复杂，除上述器件外，还要支持若干种高压DMOS管。以下简单介绍常见器件的物理结构，以便理解其版图设计方法和设计规则。 2.集成电路工艺简介 集成电路的制造过程与印刷技术比较相似，是一层一层地反复进行的，每次都是挡住一部分，处理另一部分。每次处理之前，一般先生成一个绝缘的氧化层，使下面的东西与外界隔离。如果需要处理某些局部区域，就在该区域“刻掉”氧化层。实现的方法是首先在氧化层上涂一层光刻胶，在利用“掩摸板”进行有选择地光照。如果使用的是“正胶”，被光着过的部分在显影后被去掉了，下面的氧化层就暴露出来。这时再用酸“刻蚀”掉氧化层，就能对下面的区域进行处理了。没有被光照的部分，由于有光刻胶保护，氧化层不会被刻掉，下面的区域就与后续处理无关。对于集成电路设计者来说，不必关心到底该用什么“胶”，什么酸，刻蚀多长时间等技术细节问题，只要知道这种过程，并且知道每次处理都需要一个“掩摸板”就行。一个设计最终就是一套“掩模板”（也称为光刻板、光罩等）。“掩摸板”是根据版图生成的，而版图是一种计算机文件。版图与“掩摸板”不完全等价，但具体如何生成也与设计者无关，设计者的任务就是提供版图。图1是CMOS工艺中“阱”的制造过程。 CMOS工艺中的一些重要概念 “阱”的概念 CMOS工艺中需要同时制作两种晶体管，即NMOS管和PMOS管。NMOS管以P型硅为“体”，PMOS管以N型硅为“体”，要在一个硅片上制造两种晶体管，就必须使某些局部的类型与硅片本身类型相反。这些“反类型区域”就是“阱”。CMOS工艺分为“单阱工艺”，“双阱工艺”和“三阱工艺”等。在“单阱工艺”中，如果原始硅片（也称衬底）是P型的，则阱就是必须是N型的。在P衬底N阱的单阱工艺中，NMOS管是直接做在衬底上的，使用这种工艺时，需要格外注意的是：任何NMOS管的“体”都必须接地，不能采用“体”和“源”相连但不接地的设计方法（例如图2）。  有源区和场区 在“阱”制作完后，硅片表面必须做两种不同的氧化处理，一部分有很厚的氧化层，称为场区（FOX），另一部分则只有很薄的氧化层，成为有源区（Active）或薄氧区（见图3）。 FOX的作用主要是用来隔离器件，其下面通常有沟道停止注入层。FOX区的氧化层很厚，无法刻蚀透，多晶硅在FOX走，只要不是电压过高，不会产生沟道。有源区的氧化层很薄，容易刻蚀。多晶硅在有源区上方时，有较低的电压就会产生沟道。晶体管的“阈值电压”与耐压能力与薄氧化层厚度有很大的关系，一般特征尺寸越小的工艺，有源区的氧化层越薄。 MOS管必须做在有源区，半导体材料需要与金属连接的部分也必须在有源区，例如衬底接地或N阱与电源连接的部分，都必须在有源区。低掺杂的衬底或阱要与金属连接还必须经过P+或N+材料，这种连接方法称为欧姆接触。 NMOS管和PMOS管 基本的“单阱”CMOS工艺中的NMOS管是直接做在衬底上的，版图和剖面图见图4。  （3）电阻和电容 3. 复杂工艺中的器件 （1）CSMC0.5umBCD工艺中的NMOS管。 BCD工艺支持双极、CMOS和DMOS器件，是目前最复杂的工艺。这种工艺有多个阱，器件都是做在阱里。普通NMOS做在P阱里。 （2）CSMC0.5umBCD工艺中的PMOS管。 PMOS管制作在N阱里，N阱下面有“埋层”。“埋层”起隔离作用，可减少衬底电流。 非对称高压MOS管 源区（左）与漏区不能互换。漏的N+要经过N-过渡，提高耐压能力。下面的“埋层”起隔离作用。“埋层”电阻低，高压到达低部时，被“埋层”短路，避免电流流向衬底其它部分。