退火温度对Al诱导多晶硅薄膜晶化过程的影响分析.docVIP

毕 业 论 文 退火温度对Al诱导多晶硅薄膜 晶化过程的影响 学生姓名 学 号 院 系 数理信息学院 专 业 微电子学 指导教师 完成日期 年月日 退火温度对Al诱导多晶硅薄膜晶化 过程的影响 摘 要 多晶硅薄膜是一种新型的薄膜材料，这种薄膜材料具备晶体硅的电学性质，同时又有非晶硅薄膜设备简单、成本低和大面积制备等优点。本文介绍了多晶硅薄膜晶化的过程及结果，主要的研究内容是退火温度对Al诱导多晶硅薄膜晶化过程的影响。实验是先在普通的玻璃衬上，利用热蒸发台和磁控溅射台先后沉积得到Al和非晶硅薄膜，然后将样品分成五组，选择不同的温度在高温管式炉里进行退火处理。 通过电子显微镜观察样品表面形貌，再通过X射线衍射仪和激光拉曼光谱得到每组样品的XRD光谱以及Raman光谱。在分析薄膜的微结构后，得出以下结论：退火温度对Al诱导多晶硅薄膜晶化过程的影响非常大，在相同退火时间的条件下，退火温度越高，硅薄膜的晶化效果越好，然而当退火温度小于200的时候，硅薄膜颗粒处于非晶态状态，也就是说硅薄膜没有较好晶化，而实验样品在400退火温度的条件下形成的硅晶粒比较大。 关键词 Al诱导晶化；多