第八章外延浅析.pptVIP

第八章 外延 定义:外延(epitaxy)是在单晶衬底上生长一层单晶膜的技术。新生单晶层按衬底晶相延伸生长，并称此为外延层。长了外延层的衬底称为外延片。 外延生长分类 根据外延层性质 根据外延生长方法： 根据向衬底输运外延材料的原子的方法不同 真空外延、气相外延、液相外延 §8.1 Si外延原理 硅外延工艺实际上是一种薄层的单晶生长技术，它是在一定的条件下，在硅单晶的衬底片上，沿单晶的结晶方向生长一层具有一定导电类型，电阻率、厚度、晶格结构与体单晶一致的新单晶层。 即利用硅的气态化合物，在加热的硅衬底表面与氢气发生化学反应或自身发生热分解，还原生成硅，并以单晶形式淀积在硅衬底表面。 硅外延生长工艺的优点1、生长温度比它本身的熔点要低2、可以获得纯度高、缺陷少的单晶薄层3、由于掺杂工艺灵活，可以获得多种结构的单层或多层外延，便于器件参数和结构的调整 气相外延法生长Si半导体膜所用原料气体、反应式、生长温度及所属反应类型 硅片上外延生长硅 气相外延生长过程包括： （1）反应剂（SiCl4+H2）分子以扩散方式从气相转移到生长层表面 （2）反应剂分子被生长层表面吸收； （3）被吸附的反应剂分子在生长层表面完成化学反应，产生硅原子及其他副产物； （4）副产物分子从表面解吸； （5）解吸的副产物分子以扩散的方式转移到气相，随主气流排出反应室外； （6）反应生成的硅原子定位于晶格点