《传感器与检测技术》胡向东ch07-1要点.ppt

* * 同学们好！ 磁敏传感器 磁场 电能 测量原理：半导体材料中的自由电子及空穴 随磁场改变其运动方向 结构 结型 体型 霍尔传感器 磁敏电阻 —— 磁敏二极管 磁敏三极管 —— §7-1 霍尔传感器 一、霍尔效应 —— 霍尔元件灵敏度 —— 霍尔电势 1、定义 霍尔：1879年 半导体 2、霍尔电势的产生 N型半导体： 洛仑兹力 电场力 动态平衡 P型： 令 霍尔系数 电流 或 或 半导体 绝缘体 金属 材料：锗、硅、砷化镓、砷化铟、锑化铟 灵敏度低、温度特性及线性度好 灵敏度最高、受温度影响大 输入1 输入2 输出1 输出2 磁性顶端 引线 衬底 霍尔元件 溅射工艺制作的 锑化铟霍尔元件 二、霍尔元件的主要技术参数及特点 （1）额定激励电流 IH —— 霍尔元件温升10 ℃时所加的电流 焦尔热 散热 —— 表面散热系数 （2）不平衡电势U0 不等位电势、零位电势 ——IH、B=0、空载霍尔电势 原因：两个霍尔电极不在同一等位面上 材料不均匀、工艺不良 （3）输入电阻Ri 、输出电阻R0 Ri —— 控制电流电极间的电阻 R0 —— 输出霍尔电势电极间的电阻 B = 0 欧姆表 （4）霍尔电压 VH 0.1 0.2 0.3