2009级微电子工艺学试卷(A卷)参考答案.docVIP

华中科技大学2011—2012学年第学期电子科学与技术专业试卷(开卷) 题号 一 二 三 四 总分 题分 20 40 30 100 得分 一、(本大题共10小题，每小题1分，共10分) 1、 2、CMTF小于实际光刻图形的MTF，则光刻图形上的最小尺寸线条可能被分辨。反之，不能被分辨。(√ ) 3、热氧化过程中，硅内靠近Si-SiO2 界面的杂质将在界面两边的硅和二氧化硅中形成再分布。对于k1、二氧化硅中的慢扩散杂质，再分布之后靠近界面处二氧化硅中的杂质浓度比硅中高，硅表面附近浓度下降。4、5、氮化硅(SiN4)薄膜介电常数约 6~9，不能作为层间绝缘层，否则将造成较大寄生电容，降低电路速度第1页 共页 MOS 器件之间是自隔离的(self-isolated)，可大大提高集成度。但当绝缘层上的金属引线经过两个 MOSFET 之间的区域时，会形成寄生场效应晶体管。因此，MOS IC 中的隔离主要是防止寄生的导电沟道，即防止场区寄生场效应晶体管开启。( ) 二、 1、1。采用直拉法和区熔法制备硅单晶时，可实现提纯，尤其是多次循环区熔。单就一次提纯的去杂质效果而言，( D )。 A. 两方法区别不大 B. 两方法均不太好