硅的霍尔效应实报告.docxVIP

实验名称：硅的霍尔系数及电阻率的测量 物理学院 刘纩实验仪器： BWH—I型霍尔效应测试仪，I型—PMMR永磁魔环（参数：d=1.00±0.02mm，B=0.402T，f=1，I=0.1mA） 实验目的： 学习了解p型硅电阻率和霍尔系数随温度的变化关系，以及产生变化的原因。 学习掌握通过霍尔系数和电阻率来确定材料的迁移率、净杂质浓度、载流子浓度以及禁带宽度等基本参数。 实验原理： （一）电导率随温度的关系 电导率随温度的关系分三个阶段。其一为杂质部分电离的低温区，在低温区，由杂质电离产生的载流子遂温度升高而增加，迁移率主要取决于杂质散射，亦随温度增加而增加，故电导率随温度升高而增加。其二为杂质电离的饱和区。此区域杂质已全部电离，但本征激发还不明显，载流子浓度不变而晶格散射增强，故电导率随温度升高而下降。其三为长生本征激发的高温区。此区域中，本征激发产生的载流子随温度升高急剧增加，故电导率随温度上升急剧增大。 根据电中性条件，空穴浓度p=NA+n=ps+n,其中NA为受主杂质浓度，ps为杂质电离产生的空穴浓度，p和n为载流子浓度。只考虑晶格散射，电导率σ=nqμLn+pqμLp= qμLp(bn+p)其中 μLn=4.0* 则有：p=(σ 利用p?n=AT3exp?( E （二）霍尔效应 霍尔电压：VH=RHIBd。对p型样品，R R