3固体的能带结构详解.ppt

外加正向电压越大， 正向电流也越大， 而且是呈非线性的 伏安特性(图为锗管)。 V （伏） ３０ ２０ １０ （毫安） 正向 0 0.2 1.0 I ２. 反向偏压 在Ｐ-Ｎ结的ｐ型区接电源负极, 叫反向偏压。 阻挡层势垒增大、变宽，不利于空穴向Ｎ区运动，也不利于电子向P区运动,没有正向电流。 p型 n型 I * 第 三 章 固体的能带结构 （编者：华基美） 前言 §1 固体的能带 一. 电子共有化 固体具有大量分子、原子或离子有规则 排列的点阵结构。 电子受到周期性势场的作用。 a 第 三 章 固体的能带结构 解定态薛定格方程(略）， 可以得出两点重要结论： １.电子的能量是量子化的; ２.电子的运动有隧道效应。 原子的外层电子(高能级)， 势垒穿透概率 较大， 电子可以在整个固体中运动,称为 共有化电子。 原子的内层电子与原子核结合较紧,一般 不是 共有化电子。 二. 能带(energy band) 量子力学计算表明，固体中若有N个 原子，由于各原子间的相互作用，对应于 原来孤立原子的每一个能级,变成了N条靠 得很近的能级,称为能带。 固体中的电子能级 有什么特点？ 能带的宽度记作?E ，数量级为 ?E～eV。 若N~1023,则能带中两能级的间距约10-23eV。 一般规律： 1. 越是外层电子，能带越宽，?E越大。 2. 点阵间距越小，能带越宽，?E越大。 3. 两个能带有可能重叠。 离子间距 a 2P 2S 1S E 0 能带重叠示意图 三 . 能带中电子的排布 固体中的一个电子只能处在某个能带中的 某一能级上。 排布原则： １. 服从泡里不相容原理（费米子） ２. 服从能量最小原理 设孤立原子的一个能级 Enl ，它最多能容纳 2 (2 +1)个电子。 这一能级分裂成由 N条能级组成的能带后， 能带最多能容纳２Ｎ(2 +1)个电子。 电子排布时，应从最低的能级排起。 有关能带被占据情况的几个名词： 1．满带（排满电子） 2．价带（能带中一部分能级排满电子） ? 亦称导带 3．空带（未排电子） ? 亦称导带 4．禁带（不能排电子） 2ｐ、３ｐ能带，最多容纳 6Ｎ个电子。 例如，1ｓ、２ｓ能带，最多容纳 2Ｎ个电子。 ２Ｎ(2 +1) §2 导体和绝缘体 （conductor ．insulator） 它们的导电性能不同， 是因为它们的能带结构不同。 固体按导电性能的高低可以分为 导体 半导体 绝缘体 导体 导体 导体 半导体 绝缘体 ?Eg ?Eg ?Eg 在外电场的作用下，大量共有化电子很 易获得能量，集体定向流动形成电流。 从能级图上来看，是因为其共有化电子 很易从低能级跃迁到高能级上去。 E 导体 从能级图上来看，是因为满带与空带之间 有一个较宽的禁带（?Eg 约3～6 eV）， 共有化电子很难从低能级（满带）跃迁到 高能级（空带）上去。 在外电场的作用下，共有化电子很难接 受外电场的能量，所以形不成电流。 的能带结构,满带与空带之间也是禁带， 但是禁带很窄（?E g 约0.1～2 eV )。 绝缘体 半导体 绝缘体与半导体的击穿 当外电场非常强时，它们的共有化电子还是 能越过禁带跃迁到上面的空带中的。 绝缘体 半导体 导体 §３ 半导体的导电机构 一. 本征半导体（semiconductor） 本征半导体是指纯净的半导体。 本征半导体的导电性能在导体与绝缘体 之间。 介绍两个概念： 1. 电子导电……半导体的载流子是电子 2. 空穴导电……半导体的载流子是空穴 满带上的一个电子跃迁到空带后, 满带中出现一个空位。 例. 半导体 Cd S 满 带 空 带 h? ?Eg=2.42eV 这相当于产生了一个带正电的粒子 (称为“空穴”) , 把电子抵消了。 电子和空穴总是成对出现的。 空带 满带 空穴下面能级上 的电子可以跃迁 到空穴上来, 这相当于空穴 向下跃迁。 满带上带正电的 空穴向下跃迁也 是形成电流, 这称为空穴导电。 ?Eg 在外电场作用下, ?解? 上例中,半导体 Cd S激发电子, 光波的波长最大多长？ 为什么半导体的电阻 随温度升高而降低？ 二. 杂质半导体 １. n型半导体 四价的本征半导体 Si、Ｇｅ等，掺入少量五价的杂质（impurity）元素（如P、As