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半导体物理答案new.doc
第三章
3－14．（P82）计算含有施主杂质浓度ND＝9×1015cm-3及受主杂质浓度为1.1×1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
[解]对于硅材料：ND=9×1015cm-3；NA＝1.1×1016cm-3；T＝300k时 ni=1.5×1010cm-3：
；
∵且
∴
∴ [毕]
3－19．（P82）求室温下掺锑的n型硅，使EF＝(EC＋ED)/2时的锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV。
[解]由可知，EFED，∵EF标志电子的填充水平，故ED上几乎全被电子占据，又∵在室温下，故此n型Si应为高掺杂，而且已经简并了。
∵
即 ；故此n型Si应为弱简并情况。
∴
∴
其中 [毕]
第四章
4－13．（P114）掺有1.1×1016 cm-3硼原子和9×1015 cm-3磷原子的Si样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度及样品的电阻率。
[解]NA＝1.1×1016 cm-3，ND＝9×1015 cm-3
可查图4－15得到Ω·cm
（根据，查图4－14得，然后计算可得。）[毕]
14、
4－15．（P114）施主浓度分别为1013和1017cm-3的两个Si样品，设杂质全部电离，分别计算：①室温时的电导率。
[解]n1＝1013 cm-3，T＝300K，
n2＝1017cm-3时，查图可得
[毕]
16、
第五章
5－5．（P144）n型硅中，掺杂浓度ND＝1016cm-3，光注入的非平衡载流子浓度Δn＝Δp＝1014cm-3。计算无光照和有光照时的电导率。
[解]
n-Si，ND＝1016cm-3，Δn＝Δp＝1014cm-3，查表4－14得到：：
无光照：
Δn＝ΔpND，为小注入：
有光照：
15、
5－16．（P145）一块电阻率为3Ω·cm的n型硅样品，空穴寿命，再其平面形的表面处有稳定的空穴注入，过剩空穴浓度，计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度，以及在离表面多远处过剩空穴浓度等于1012cm-3？
[解] ；，：
由查图4－15可得：，
又查图4－14可得：
由爱因斯坦关系式可得：
所求
而
[毕]
16
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