1.2半导体二极管详解.ppt

1.2.1　晶体二极管的结构、符号、类型 * 　 　 　 　 * 　 　 　 　 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 1.2半导体二极管 　　(1)外形：由密封的管体和两条正、负电极引线所组成。管体外壳的标记通常表示正极。如图所示； 　　(2)符号： 　　三角形——正极， 　　竖杠——负极， 　　VD——二极管的文字符号。 1．晶体二极管 晶体二极管结构及电路符号： PN结正偏（P接+、N接-），D导通。 P N 正极 负极 晶体二极管的主要特性：单方向导电特性 PN结反偏（N接+、P接-） ，D截止。 即 主要用途：用于整流、开关、检波电路中。 半导体二极管的结构 (1) 点接触型二极管 (a)点接触型 二极管的结构示意图 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分三大类:点接触型、面接触型和平面型。 (3) 平面型二极管 往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 (c)平面型 半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 ① 整流二极管：利用单向导电 性把交流电变成直流电的二极管。 ② 稳压二极管：利用反向击穿特性进行稳压的二极管。 ③ 发光二极管：利用磷化镓把电能转变成光能的二极管。 ④ 光电二极管：将光信号转变为电信号的二极管。 ⑤ 变容二极管：利用反向偏压改变 PN 结电容量的二极管 型号举例如下： 整流二极管——2CZ82B 稳压二极管——2CW50 变容二极管——2AC1 等等。 按用途分：如图所示。 二极管图形符号 按材料分：硅管、锗管 1.2.2　二极管的伏安特性曲线 测试二极管伏安特性电路 　　1．定义：二极管两端的电压和流过的电流之间的关系曲线叫作二极管的伏安特性。 2．测试电路：如图所示。 3．伏安特性曲线：如图所示。 半导体二极管的核心是PN结,它的特性就是PN结的特性——单向导电性。常利用伏安特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性。 1)正向特性： 二极管两端加正向电压较小时,由于外电场还不足以克服內电场对载流子扩散运动所造成的阻力,故正向电流极小（几乎为零）,这一部分称为死区,相应的A(A′)点的电压称为死区电压或门槛电压(也称阈值电压),硅管约为0.5V,锗管约为0.1V,如图中OA(OA′)段。 当正向电压超过死区电压时,內电场被削弱，二极管呈现很小电阻,正向电流就会急剧地增大而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为0.6~0.7V,锗管约为0.2~0.3V,如图中AB(A′B′)段。 二极管正向导通时,要特别注意它的正向电流不能超过最大值,否则将烧坏PN结。 结论：正偏时电阻小，具有非线性。 2)反向特性： 二极管两端加上反向电压时,在开始很大范围内,二极管相当于非常大的电阻,反向电流很小,且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IR,见图中OC（OC′）段。 3)反向击穿特性 二极管反向电压加到一定数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压,用UBR表示,如图中CD(C′D′)段。 结论：反偏电阻大，存在电击穿现象。 * * * 　 　 　 　 * 　 　 　 　 * 上页 下页 返回 模拟电子技术基础