第一章-晶体生长和外延材料.pptVIP

外延层中缺陷: * 5.刃位错： 它们是在两个晶格常数不匹配半导体的异质外延中形成的。如果两者的晶格均很坚硬，它们将保持原有的晶格间距.界面将含有称为错配（misfit）或刃位错的错误键结的原子行 与熔硅接触：温度太高---籽晶熔断； 温度太低---过快结晶； 合适温度--籽晶与熔硅可长时间接 触，既不会进一步融化，也不会生长 * 与熔硅接触：温度太高---籽晶熔断； 温度太低---过快结晶； 合适温度--籽晶与熔硅可长时间接 触，既不会进一步融化，也不会生长 * * 线缺陷(位错) * 螺位错:将晶格剪开一部分并侧移一个晶格距离 螺位错特点 * 1）无额外的半原子面； 2）位错周围点阵也发生弹性畸变， 但不引起体积的膨胀和收缩； 3）位错畸变区也是几个原子间距宽度，同样是线位错。 面缺陷 * 孪晶界：某一晶面两边的晶体取向不同,以晶界为轴构成镜面对称 孪晶界 面缺陷 * 晶粒间界：彼此没有固定晶向关系的晶体之间的过渡区 * 本征堆垛层错 非本征堆垛层错 堆垛层错：在这种缺陷中, 原子层的堆叠次序被打断; 面缺陷 * 体缺陷 由在