计算机组成原理第三章 第3讲 DRAM存储器.pptVIP

DRAM存储器 * * 3.3 DRAM存储器 一、DRAM存储位元的记忆原理 SRAM存储器的存储位元是锁存器，它具有两个稳定的状态。 DRAM存储器的存储位元是由一个MOS晶体管和电容器组成的记忆电路，如图3.6所示。 MOS：Metal-Oxide-Semiconductor 金属-氧化物-半导体 3.3 DRAM存储器 MOS管做为开关使用 存储的信息1或0则是由电容器上的电荷量来体现 当电容器充满电荷时，代表存储了1， 当电容器放电没有电荷时，代表存储了0。 图(a)表示写1到存储位元。此时输出缓冲器关闭、刷新缓冲器关闭，输入缓冲器打开（R/W为低），输入数据DIN=1送到存储元位线上，而行选线为高，打开MOS管，于是位线上的高电平给电容器充电，表示存储了1。 MOS管 电容器 播放CAI 读放 图(b)表示写0到存储位元。此时输出缓冲器和刷新缓冲器关闭，输入缓冲器打开，输入数据DIN=0送到存储元位线上；行选线为高，打开MOS管，于是电容上的电荷通过MOS管和位线放电，表示存储了0。 图(c)表示从存储位元读出1。输入缓冲器和刷新缓冲器关闭，输出缓冲器/读放打开（R/W为高）。行选线为高，打开MOS管，电容上所存储的1送到位线上，通过输出缓冲器读出放大器发送到DOUT,即DOUT=1。 图(d)表示(c)读出1后存储位元重写1。由于(c)中读出1是破坏性读出，必