20150615半导体掩膜材料新进展.docVIP

日本集成电路用掩膜材料技术与市场新进展QUALCOMM）代工量产。此外，上海华力微电子（HLMC）与台湾联发科（MediaTek）也发布公告称将在28nm半导体生产方面开展合作，显示了这些企业在高端半导体技术领域扩大产能的意向，而今后对于外购光掩膜板的需求将达到何种程度并不明朗。 3、Photronics市场份额快速增长 从两强到三强 迄今为止，日本外销光掩膜板市场一直延续着所谓两强体制，绝大部分市场份额掌握在凸版印刷和大日本印刷（DNP）两家公司手中。不过，由于近年来Photronics所占市场份额不断增加，市场局面也逐渐从两强主导转为三强鼎立。 若论Photronics市场份额快速增长的原因，日本半导体企业竞争力的下降首当其冲。在逻辑电路领域，日本没有一家完整的28nm以下器件制程企业，这直接导致了以日本国内市场为主要销售对象的凸版印刷和大日本印刷（DNP）两家公司的市场份额相对下降。 对于凸版印刷公司而言，此前的主要用户是Elpida Memory（现为Micron memory Japan），随着Micron memory经营策略的改变，作为其主要供应商的凸版印刷公司的市场份额下降也在所难免。事实上，2014年Micron memory开始正式引入光掩膜板自供体制（实际上是由Micron memory与Photronics合资的MP Mask供货）。 另一方面，大日本印刷（DNP）也受到来自台湾业务减少的影响，台湾企业为了扩展其逻辑电路市场开始建设掩膜板工厂，2013年发布了与Photronics合资建厂的公告，2014年4月又以Photronics子公司的名义重新开始运营，这也间接导致了Photronics市场份额的提升。 4、关注极紫外（EUV）光刻技术 EUV也需要蒙板 在极紫外（EUV）半导体光刻技术推迟引入的大背景下，对于10-7nm世代半导体制造工艺而言，现行的ArF浸没式曝光加上MPT（Multiple Patterning）技术，对于延长现有技术的生命周期具有一定的现实意义。因为现有波长只能达到193nm，而掩膜板的尺寸精度也难以改变，通过引入MTP技术可以将聚焦精度提高到2nm。 对于EUV掩膜板而言，技术上关注的课题仍然是降低缺陷以及缺陷检测技术，这一点与以前相比并无大的变化。制造无缺陷的掩膜板基材（blanks）几乎是不可能的，因此如何检测出这些缺陷，或者说如何避免这些缺陷就成为了研究的中心。 此外，业界开始呼吁，为了防止EUV掩膜板受到沾污也需要使用蒙板（pellicle）。不过，对于反射型EUV掩膜板，贴上蒙板后不可避免地会使透过率下降，如何保证透过率不下降正在成为研究的课题。 以下是各家外销掩膜板公司的最新动向。 5、各公司动向 凸版印刷 随着中档产品份额的扩大以及主力高端掩膜板产品销售的增长，2014年度（截止到2015年3月）半导体用光掩膜板销售收入与上一年度相比实现了正增长。随着DRAM主要用户的战略转移，内存市场有所下降，不过40/28nm世代掩膜板的需求增加抵消了这部分下降。此外，次世代14nm制程用掩膜板的销售也贡献了部分收入。在2014年度销售收入中，面向32/28nm以下制程（包括14nm）销售约占20%。 为了应对中国国内半导体制程的需求，提升了中国本地光掩膜板的生产能力。为应对未来需求新建了面向90nm制程掩膜板厂房，TPI（Toppan Photomasks Inc.）上海工厂扩大了生产规模，在现有工厂内新建了生产车间，扩大了洁净厂房面积。通过以上扩产措施，生产能力差不多实现了翻番。 除上海之外，该公司在世界各地还有多处光掩膜板生产工厂，包括美国两处、韩国（利川）、台湾（桃园）、德国（Dresden）、法国（Corbeil）各一处，凸版印刷公司在外销光掩膜板供应商中以生产工厂最多而著称。 大日本印刷 大日本印刷的半导体用光掩膜板业务以海外逻辑电路代工厂为主，2014年订单增加，高端掩膜板占比有所上升，2014年（1-12月）28nm以下制程实际占比上升到30%。 2014年销售收入按金额计与上一年度基本持平。台湾子公司自2014年4月开始收入不计入总公司，因此导致部分销售收入减少，不过28nm制程高端掩膜板销售收入的增加正好抵消了这部分减收。 预计2015年外销光掩膜板总体市场将有2-3%的增长，该公司也将此作为自己的增长目标。此外，因为面向FinFET的14nm世代制程的光掩膜板已经正式实用化，对高端掩膜板市场寄与较大期待。 其他方面，除光刻用光掩膜板之外，今后将进入次世代光刻技术之一的纳米压印光刻(Nanoimprint lithography，简称NIL)市场，该公司最近宣布已经开始NIL用template的量产。已经在上福冈工厂完成了生产线安装，计划2015、2