模拟电子技术8场效应管及放大解析.ppt

模拟电子技术基础 电子教案 V2013 课程内容与学时安排 引言 8 场效应管及其放大电路 8.2 结型场效应管 8.2.1 结型场效应管的结构和工作原理 (2) 工作原理 综上分析可知 8.2.2 结型场效应管的特性曲线及参数 8 场效应管及其放大电路 8.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 8.1.1 N沟道增强型MOS场效应管 8.1.1 N沟道增强型MOS场效应管 (a) 输出特性及特性方程 (b) 转移特性 8.1.2 N沟道耗尽型MOS场效应管 8.1.4 MOS场效应管的主要参数 MOS晶体管工作原理小结 MOS共源电路的电压传输特性 8 场效应管及其放大电路 8.3 场效应管放大电路及模拟集成电路基础 分析思路 8.3.1 场效应管放大电路的静态分析 例8.3.4 8.3 场效应管放大电路及模拟集成电路基础 8.3.2 场效应管的微变等效电路 2. 场效应管的高频小信号等效模型 3. 场效应管放大电路的微变等效电路分析 (1) 共源极放大电路的动态分析 (2) 共漏极放大电路的动态分析 8 场效应管及其放大电路 教学大纲(48学时2012版) 主要内容 MOS场效应管结构及工作原理 MOSFET放大电路 基本要求 了解MOS场效应管的工作原理、特性曲线及主要参数 掌握用小信号模型分析法分析MOSFET放大电路的动态指标 了解双极型三极管(BJT)和场效应管两种放大电路各自的特点 例8.3.1 例8.3.2 例8.3.4 4. 场效应管三种放大电路的性能比较 引言：多级放大输入级提高Ri的途径 8 场效应管及其放大电路 教学大纲(48学时2012版) 主要内容 MOS场效应管结构及工作原理 MOSFET放大电路 基本要求 (1)了解MOS场效应管的工作原理、特性曲线及主要参数 (2)掌握用小信号模型分析法分析MOSFET放大电路的动态指标 (3)了解双极型三极管(BJT)和场效应管两种放大电路各自的特点 8.2 结型场效应管 8.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 8.3 场效应管放大电路及模拟集成电路基础 8.4 各种放大器件及电路性能比较 ? ? 计划4学时 掌握场效应管的工作原理 注意与BJT的异同点 类比：与BJT放大电路 自学（归纳、比较） 8.3.1 场效应管放大电路的静态分析 8.3.2 场效应管的微变等效电路 (过渡) 8.3.1 场效应管放大电路的静态分析 8.3.2 场效应管的微变等效电路 8.3.3 场效应管电流源 8.3.4 场效应管差分放大电路 ? ? ? ? 8.3 场效应管放大电路及模拟集成电路基础 VP 两个要点： 1、合适的静态工作点 2、叠加原理的应用 电压分压器偏置 ? 根据Je正偏VBE回路 ? 假设三极管处于放大状态 ? 根据Jc反偏即VCE回路 BJT求解Q：IBQ 、ICQ 、VCEQ 硅管VBE = 0.7V，锗管VBE = 0.2V。 ? 判断：VCE VCE(sat)=0.2V (放大or 饱和) FET求解Q：VGSQ 、IDQ 、VDSQ ? 假设Q点在饱和区 ? 根据合适的vGS ? 根据合适的vDS ? 判断：VGS VT (增强NMOS) VDS VDS(sat) = (vGS ? VT )(饱和or可变电阻) 8.3.1 场效应管放大电路的静态分析 1. 直流偏置电路 2. 静态工作点的确定 8.3 场效应管放大电路及模拟集成电路基础 1. 直流偏置电路 （b）分压式自偏压电路 耗尽MOS管 结型场效应管 增强MOS管 （a）自偏压电路 耗尽MOS管 结型场效应管 适应管型 适应管型 8.3.1 场效应管放大电路的静态分析 8.3 场效应管放大电路及模拟集成电路基础 1. 直流偏置电路 （b）分压式自偏压电路 （a）自偏压电路 耗尽MOS管 结型场效应管 图8.3.1 场效应管的两种偏置电路 共漏极电路如图8.3.8所示，其中场效应管为N沟道结型 场效应管。已知Rg1=2M?，Rg2=47k?，Rg3=10M?，Rd=30k?，R=2k?，VDD=18V，场效应管的VP=?1V，Kn=0.5mA/V2，且?=0。 试确定Q点，并计算电压增益、输入电阻和输出电阻。 图8.3.8 例8.3.4电路 解： ① 首先计算Q点 VGSQ = 0.4 ? 2IDQ 设场效应管工作在饱和区 因 IDSS =0.5mA，所以IDQ = 0.31mA。 VGSQ= ? 0.22V， VDSQ= VDD?IDQ (Rd +R) =8.1V。