1.4 场效应管课件.pptVIP

二、交流参数 1. 低频跨导 gm 2. 极间电容 用以描述栅源之间的电压 uGS 对漏极电流 iD 的控　　制作用。 单位：iD 毫安(mA)；uGS 伏(V)；gm 毫西门子(mS) 这是场效应管三个电极之间的等效电容，包括 Cgs、　　Cgd、Cds。 极间电容愈小，则管子的高频性能愈好。　　一般为几个皮法。 三、极限参数 3. 漏极最大允许耗散功率 PDM 2.漏源击穿电压 U(BR)DS 4. 栅源击穿电压U(BR)GS 由场效应管允许的温升决定。漏极耗散功率转化为　　热能使管子的温度升高。 当漏极电流 ID 急剧上升产生雪崩击穿时的 UDS 。 场效应管工作时，栅源间 PN 结处于反偏状态，若　　UGS U(BR)GS ，PN 将被击穿，这种击穿与电容击　　穿的情况类似，属于破坏性击穿。 1.最大漏极电流IDM 例2 电路如图1.4.14所示，其中管子T的输出特性曲线如图1.4.15所示。试分析ui为0V、8V和10V三种情况下uo分别为多少伏？ 　 图1.4.14 　　　　图1.4.15 分析：N沟道增强型MOS管，开启电压UGS(th) ＝4V 解 (1) ui为0V ，即uGS＝ui＝0，管子处于夹断状态　 所以u0＝ VDD ＝15V (2) uGS＝ui＝8V时，从输出特性曲线可知，管子