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CDCE913笔记 by Lzp 2014-2-22 EEPROM 32字节 字节offset 位 读写 用途 说明 缺省值b 0 7 R 芯片类型 1：3.3V，0：1.8V 6-4 R 版本 3-0 R 厂商 1 1 7 RW 保留 允许写0 0 6 R EEPIP 0：编程完成，1：正在编程 0 5 EELOC，数据锁 0：没锁，1：锁了 0 4 PWDN 0 – device active (PLL1 and all outputs are enabled) 1 – device power down (PLL1 in power down and all outputs in 3-state) 0 3:2 Input clock selection 00 – Xtal 10 – LVCMOS，01 – VCXO 11 – reserved 1:0 器件地址的后2位 地址共7位 6:2是11001b, 所以同样913器件允许挂4个，0x64—0x67,缺省 1100101即0x65 01b 2 7 Y1 时钟源选择 0 – input clock， 1 – PLL1 clock 1 6 工作模式选择 0 – I2C模式 1 – 输入管脚控制 S1 (pin 13) and S2 (pin 12) 0,一个新芯片,一定允许I2C编程 5:4 Y1_状态1定义 00 – 器件断电 (PLL断电所有输出 in 3-State) 01 – Y1 disabled to 3-state，Y1 3态输出 10 – Y1 disabled to low，Y1输出低电平 11 – Y1 enabled，Y1允许正常输出 11 这样理解：Y1的两种状态1、0，1是编程后的可用芯片，下面状态0是待编程状态 3:2 Y1_状态0定义 同状态1说明 00 – 器件断电 (PLL断电所有输出 in 3-State) 01 – Y1 disabled to 3-state，Y1 3态输出 10 – Y1 disabled to low，Y1输出低电平 11 – Y1 enabled，Y1允许正常输出 01 新芯片待编程状态，所以是3态输出 1:0 Pdiv1 [9:8] 10位Y1输出分频器Pdiv1 0 :0 Pdiv1 [7:0] 0x01 4 7 Y1-7状态选择 0：选Y1-状态0， 1：选Y1-状态1 这8种选择by S2-S1-S0 0 6 Y1-6状态选择 0 5 Y1-5状态选择 0 4 Y1-4状态选择 0 3 Y1-3状态选择 0 2 Y1-2状态选择 0 1 Y1-1状态选择 1 0 Y1-0状态选择 0 5 7:3 Crystal晶体负载电容的 皮法值0x00：0pF---------0x13：19pF，0x14或更高20pF 0x0a即10pF 2:0 保留 只可写入0 0 6 7:1 块发送字节数 0x20 0 启动EEPROM Write周期 0：没有EEPROM Write周期 1：开始EEPROM Write周期，（EEPROM写位必须最后发送。这确保了所有内部寄存器的内容被存储在EEPROM中SSC（扩频时钟）中心扩频或向下蔓延是一种常用的技术，以减少电磁干扰（EMI）。Y2Y3-7状态选择 0：选择状态0定义 1：选择状态1定义 这8种选择by S2-S1-S0 0 6 Y2Y3-6状态选择 0 5 Y2Y3-5状态选择 0 4 Y2Y3-4状态选择 0 3 Y2Y3-3状态选择 0 2 Y2Y3-2状态选择 0 1 Y2Y3-1状态选择 0 0 Y2Y3-0状态选择 0 16h-1fh 后面的不细研究了，见后面理解思路3 缩写解释 VCXO VCXO即：Voltage Controlled Xtal(crystal) Oscillator 压控钟振是通过电压控制晶振的频率 LVCMOSif VDDOUT is forced to GND, the two control pins, S1 and S2, temporally act as serial programming pins (SDA/SCL).当VDDout=GND时,有是I2C了。 这张表：阴影为缺省设置，是S2、S1作为I2Cbus时的状态，这时S2、S1内部看作是0电平，S0这时仍看作被控制端，随外部控制为高或低。为此，调试期间此芯片可以永远作为I2Cbus模式，选择最