第4章_硅锗中的杂质和缺陷解析.pptVIP

Ec ED EA Ev 电离施主 电离受主 (2) NDNA 此时半导体为p型半导体 有效受主浓度p=NA- ND (3) ND≈NA 杂质的高度补偿 Ec ED EA Ev 本征激发产生的导带电子 本征激发产生的价带空穴 杂质的补偿作用 当NDNA时 n= ND-NA ≈ ND，半导体是n型的 当NDNA时 p= NA-ND ≈ NA，半导体是p型的 当ND≈NA时 补偿半导体 有效杂质浓度 补偿后半导体中的净杂质浓度。 5. 深杂质能级 根据杂质能级在禁带中的位置，杂质分为： 浅能级杂质→能级接近导带底Ec或价带顶Ev，电离能很小 深能级杂质→能级远离导带底Ec或价带顶Ev，电离能较大 EC ED EV EA Eg EC EA EV ED Eg 深能级杂质 非III、V族元素 特点 多为替位式杂质 硅、锗的禁带中产生的施主能级距离导带底和价带顶较远，形成深能级，称为深能级杂质。 深能级杂质能够产生多次电离，每次电离均对应一个能级。有的杂质既能引入施主能级，又能引入受主能级。 例1：Au（Ⅰ族）在Ge中 Au在Ge中共有五种可能的状态： （1）Au+； （2） Au0 ； （3） Au一 ； （4） Au二 ； （5） Au三。 在Ge中掺Au 可产生3个受主能级，1个施主能级 Au Ge Ge Ge Ge Au+ Au0 Au- Au2- Au3- 1. Au失去一个电子—施主 Au＋ Ec Ev ED ED=Ev+0.04 eV Ec Ev ED EA1 Au－ 2. Au获得一个电子—受主 EA1= Ev + 0.15eV 3.Au获得第二个电子 Ec Ev ED EA1 Au2－ EA2= Ec - 0.2eV EA2 4.Au获得第三个电子 Ec Ev ED EA1 EA3= Ec - 0.04eV EA2 EA3 Au3－ 深能级杂质特点： 不容易电离，对载流子浓度影响不大； 一般会产生多重能级，甚至既产生施主能级也产生受主能级。 能起到复合中心作用，使少数载流子寿命降低。 Ec Ev ED EA Au doped Silicon 0.35eV 0. 54eV 1.12eV 0.29eV 0.35 化合物半导体中的杂质能级（补充） Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中的杂质 理想的GaAs晶格 价键结构： 含有离子键成分的共价键结构 Ga- As Ga Ga As Ga As+ Ga As 第4章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷 理想半导体： 1、原子严格周期性排列，具有完整的晶格 结构。 2、晶体中无杂质，无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带——电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。 ?本征半导体——晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷。由本征激发提供载流子。 实际半导体 实际半导体中原子并不是静止在具有严格周期性的晶格位置上，而是在其平衡位置附近振动； 实际半导体并不是纯净的，而是含有杂质的； 实际的半导体晶格结构并不是完整无缺的，而是存在着各种形式的缺陷，点缺陷，线缺陷，面缺陷； 杂质和缺陷可在禁带中引入能级，从而对半导体的性质产生了决定性的作用 §4.1 Si、Ge晶体中的杂质的性质 1、杂质与杂质能级杂质：半导体中存在的与本体元素不同的其它元素。 杂质的来源： ｛ 有意掺入 无意掺入 根据杂质在能级中的位置不同： ｛ 替位式是杂质 间隙式杂质 在金刚石型晶体中，晶胞中原子的体积百分数为34%，说明还有66%是空隙。Si 中的杂质有两种存在方式， a：间隙式杂质 特点：杂质原子一般较小，锂元素 b：替位式杂质 特点：杂质原子的大小与被替代的晶格原子大小可以相比，价电子壳层结构比较相近，Ⅲ和Ⅴ族元素在Si，Ge中都是替位式 以硅为例说明 单位体积中的杂质原子数称为杂质浓度 B:替位式→杂质占据格点位置。大小接近、电子壳层结构相近 Si：r=0.117nm B：r=0.089nm P：r=0.11nm Li：0.068nm A: 间隙式→杂质位于间隙位置。 Si Si Si Si Si Si Si P Si Li N型半导体 P型半导体 复合中心 陷阱 杂质分类 浅能级杂质 深能级杂质 杂质能级位于禁带中 Eg 浅能级 深能级 施主