15)载子寿命CarrierLifetime与扩散长度DiffusionLength(2009.10.12)解剖.pptVIP

P型及N型半導體形成P-N結,(Junction) 由於摻雜(Doping)濃度變化會使電子,電洞進行梯度擴散。進一步打破原有電中性，形成空間電荷區（Space Charge Region）及內建電場（由N型指向P型）。當入射光子在空乏區產生電子-電洞時，加上內建電場使電子，電洞漂移（Drift）形成由N型流向P型的光電流（Photo Current）,當然必須在合復（Recombination）之前，有效地經由電極流至負載。值得注意：此光電流對P-N接面而言，是反向電壓的電流方向.一般所採用的模型 -IRL=IL-IS（e V/VT -1）入射光不僅在空乏區產生電子-電洞對，電中性區（Quasi-Neutral）,也就是N型及P型也能產生電子-電洞對，以擴散電流形式貢獻光電流。這部分是由少數載子形成的擴散電流（多數載子固定在晶格中）。 * GSI廣集／HTTR華通特瑞 2009.10 Carrier Lifetime (Diffusion/Mobility, Generation/Recombination) EL PL PL-Rs (Luminescence Imaging Technology) 光電流與載子 動態偏壓情況下的PN結中性區／空乏區 在以太陽模擬測試系統量測太陽電池片IV曲線時，PN結存在一個動態偏壓情況下工作。 為解決此複雜現象，單一二極體模型須