3.1.3 影响沉淀纯度的因素 沉淀中引入杂质的主要因素是表面吸附作用。引入杂质的途径有共沉淀和后沉淀。 ⑴ 共沉淀 某些可溶性杂质同时被沉淀下来的现象,称为共沉淀。有以下几种: 表面吸附 表面吸附是在沉淀表面双电层吸附了杂质使共沉淀,如BaSO4表面Ba2+使易溶的BaCl2或Ba(NO3)2在表面沉淀。 形成混晶 杂质离子进入晶格或空隙形成混晶,分为同形混晶和异形混晶。 包埋是由于沉淀形成速度快,使起初吸附在表面的杂质来不及离开,就被后来的沉淀所掩盖、包埋在沉淀内部。 吸留是晶体成长过程中,由于晶面缺陷和晶面生长的各向不均性,而也可将母液包藏在晶格内部的小孔穴中所形成的共沉淀现象。 ⑴ 共沉淀 ⑵ 后沉淀 后沉淀是在沉淀析出后,溶液中原本不能析出的组分,在放置的过程中也在沉淀表面逐渐沉积出来的现象。 例如,CuS表面S2-使ZnS后沉淀。 过滤、洗涤、干燥或灼烧。 恒量:供试品连续两次干燥或炽灼后的质量差异<0.3mg。 13.2587 13.2568 13.2561 13.2559 误差 0.2 mg 3.1.4 沉淀的处理技术 平行原则:温度、时间、天平 3.1.5 称量形式与计算结果 换算因数的
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