VLSI-07第二章氧化(下)汇总.ppt

集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 Qit和下列因素有关：氧化温度，氧化气氛（湿氧、干氧），晶向等 Qit和干氧氧化温度的关系1）Qit 随温度升高而降低；2）在能带中间部分， Qit(100)比Qit(111)低约5倍 降低Qit的方法低温金属化后退火（PMA） （low temperature post-metallization anneal)在H2或H2－N2（Forming Gas Annealing, FGA）中350－500 ?C退火30分钟 退火前，Qit约1011 cm-2eV-1 退火后，Qit约1010 cm-2eV-1 - 可应用 3、可动离子电荷，Qm（mobile ionic charge） 厚度测量 机械法 比色法 椭偏法 光干涉法 C-V测量 2、比色法 3、光干涉法（Interferometry） 由光的相干原理，膜表面与界面反射二束光相干涉。由光学原理，两束光的光程差为入射光的波长整数倍时出现加强的亮度 4、椭偏法（Ellipsometry） 椭偏法是一种非常精确、非常灵活的测试方法 厚度测量: 测量结果给出周期性的厚度结果 需要知道薄膜的一些性质 多种波长测量 厚度和折射率（refractive index）： 可以决定不同材料的厚度及折射率 多层薄膜： 可以用多波长和多角度来决定多层薄膜的厚度 INFO130024.01 集成电路工艺原理 第二章 热氧化原理 (下) 大纲 第一章 前言 第一章 晶体生长 第二章 热氧化 第三章 热扩散 第四章 离子注入 第五章 薄膜淀积 第七章 外延 第八章 光刻与刻蚀 第九章 接触与金属化 第十章 工艺集成 D－G模型 ?氧化速率为 上节课主要内容 压强、晶向、掺杂和掺氯对氧化速率的影响 掺有杂质的硅在热氧化过程中，靠近界面的硅中杂质，将在界面两边的硅和二氧化硅中发生再分布。其决定因素有： 杂质的分凝现象 杂质通过SiO2表面逸散 氧化速率的快慢 杂质在SiO2中的扩散速度 热氧化时杂质在界面上的再分布 热氧化时杂质在界面上的再分布的诱因 杂质在Si和SiO2中的溶解度不同，扩散系数不同，热氧化时，杂质在SiO2－Si两边要重新分布，这种规律由分凝系数（Segregation Coefficient）来描述 杂质在硅中的平衡浓度 杂质在二氧化硅中的平衡浓度 k = ＝ C1 C2 k1，并且杂质在氧化物中扩散很慢。例如B，k=0.3 杂质在SiO2界面处浓度很高 k1，并且杂质在氧化物中扩散很快。例如 B在含H2气氛下氧化，杂质在Si界面处的浓度趋于零。 k1，并且杂质在氧化物中扩散慢。例如 P，As，Sb杂质在硅界面处堆积 k1，并且杂质在氧化物中扩散快。例如Ga，硅界面处的杂质浓度低于体浓度。 热氧化方法 热氧化炉（furnace） 常规热氧化 掺氯氧化 氢氧合成氧化 高压氧化 例题1、 100 硅片上表面有200 nm氧化层 （a）如果上述氧化层在1100 ?C干氧中生长，生长时间为多少？ （b）如果硅片重新送回氧化炉（往往是另一个炉子），继续在1000 ?C下水汽氧化，多长时间可以增加氧化层厚度至500 nm？ 关于? 干氧氧化，用xi＝25 nm计算 xi?0，? 代表的是在现在条件下生长xi 所需的时间，与实际生长的方法无关 水汽氧化，用xi＝0计算，?＝0 xi＝0 (a) 补偿值 3 (b) .2 2、掺氯氧化 氯源 3% HCl，三氯乙烯TCE（C2HCl3），三氯乙烷（TCA），三氯甲烷，Cl2，NH4Cl，CCl4等 方法 最好瓶装HCl气体，使用方便，浓度容易控制 二步TCE或TCA法 － 850 oC 干氧 850 oC TCE 或 TCA氧化 1050 oC TCE或TCA氧化 1050 oC N2中退火 – 降低Qit 3、氢氧合成氧化 2H2 + O2 = 2H2O Si+ 2H2O=SiO2+2H2 4、高压氧化：一种低温快速的氧化方法 B和B/A与氧化剂分压近似成正比 在一个大气压下，每增加一个大气压氧化速率增加一倍 如速率不变，则每增加一个大气压，温度下降30 ?C 但在VLSI工艺中，尚未广泛使用，原因： 1）安全问题，一般设备需要25 atm 2）设备占地太大，生产产量小 3）厚度不均匀 Si/SiO2界面特性 1）固定氧化物电荷，QfFixed Oxide Charge 2）界面陷阱电荷，QitInterface trapped charge 3）可动离子电荷，QmMob