半导体器件——第四章解析.pptVIP

半导体器件 第四章 场效应晶体管 4.2 绝缘栅型场效应晶体管 第四章 重点 4、氧化层及界面电荷对MOSFET阈值电压的影响 氧化层及界面电荷的存在会使半导体表面产生电场，能带发生弯曲，偏离理想情况。需要施加平带电压，恢复成能带无弯曲的情况。这种情况下，平带电压的大小与绝缘层中电荷数相关。 影响MOSFET阈值电压的因素主要有： 1、半导体衬底性质——掺杂浓度NA、本征载流子浓度ni； 综上MOSFET阈值电压的表达式： 2、绝缘层电容大小——绝缘层介电常数、厚度、面积； 3、金属半导体的功函数差； 4、绝缘层中电荷数量。 5、MOSFET的分类 n沟道、p沟道——导电沟道类型 增强型、耗尽型——栅压为0时，源漏是否导通 4.2.4 MOSFET的电流-电压关系 栅宽 栅长 载流子的迁移率 绝缘层电容 非饱和区： 饱和区： 进入饱和区后，电流 几乎不再受源漏电压的 影响，在VGS一定值时， 漏极电流保持恒定。 该电流值等于B点的电 流值.B点对应的源漏电压 即为源漏饱和电压： 源漏饱和电压 饱和区： 输出特性曲线上，VDS=VGS-VT的曲线为临界饱和线。 非饱和区： 饱和区： 跨导 跨导的大小反应栅压对漏极电流的控制能力。跨导越大，控制 能力越强。 4.2.6 MOSFET的击穿 1、栅介质的可靠性与栅介质的击穿 当栅压过大时，栅介质会发生击穿。若栅