微电子工艺研究报告.ppt

硅片定位槽和激光刻印 1234567890 定位槽 标识数字 内刃 内圆切割机 抛光的硅片边缘 用于去除硅片表面损伤的化学刻蚀 用于去除硅片表面损伤的化学刻蚀 双面硅片抛光 上抛光垫 下抛光垫 硅片 磨料 切片、磨片、抛光 1．切片 将已整形、定向的单晶用切割的方法加工成符合一定要求 的单晶薄片。 切片基本决定了晶片的晶向、厚度、平行度、翘度，切片 损耗占1/3。 2. 磨片 目的：去除刀痕与凹凸不平； ??? 改善平整度； 使硅片厚度一致； 磨料： ??? 要求—其硬度大于硅片硬度。 种类—Al2O3、SiC、SiO2、MgO等 3. 抛光 目的：进一步消除表面缺陷，获得高度平整、光洁及无 损层的“理想”表面。 方法：机械抛光、化学抛光、化学机械抛光 晶体缺陷 缺陷的含义：晶体缺陷就是指实际晶体中与理想的点阵结构发 生偏差的区域。 理想晶体：格点严格按照空间点阵排列。 实际晶体：存在着各种各样的结构的不完整性。 几何形态：点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷 点缺陷 缺