4.4表面组分与结构技术1解析.ppt

Schl. of Optoelectronic Inform. “光电探测与传感集成技术”教育部国防重点实验室 State Key Lab. of ETFID “电子薄膜与集成器件”国家重点实验室. 7、XPS 在电子材料中的应用 XPS 与 AES、SIMS 相比应用最广：XPS 对表面破坏最小、荷电最弱；表面成分组成信息和元素化合价信息可测；无机物和有机物适用；导体、绝缘体和超导体可测。 1）XPS 在超导薄膜中的应用 Bi-Sr-Ca-Cu-O 超导薄膜 图13-20-2 Cu-O 面起超导作用已得到公认。 一般认为：凡是有 Cu 参与的超导系列，Cu 的化合价必须 高于 2。 Schl. of Optoelectronic Inform. “光电探测与传感集成技术”教育部国防重点实验室 State Key Lab. of ETFID “电子薄膜与集成器件”国家重点实验室. 2）XPS 对PZT 陶瓷还原效应的研究 PZT：铅、锆、钛金属氧化物陶瓷，压电材料 Nb 掺杂 PZT 陶瓷在氢还原中电性能的转变机理研究 关于铅：表13-5-2 图13-21-2 关于锆：图13-22-2 关于钛：表13-6-2 图13-23-2 关于铌：图13-24-2 表面组成与体内组成的差异：表13-7-2 结论（考虑离子诱导反应）： PZT 陶瓷在氢气还原过程中有失氧的趋势。Pb、Zr、Ti 三种元素只有 Pb 经受了化合价的变化，生成了部分低价氧化物。电导的增加与氧的逸出形成氧空位有关。 Schl. of Optoelectronic Inform. “光电探测与传感集成技术”教育部国防重点实验室 State Key Lab. of ETFID “电子薄膜与集成器件”国家重点实验室. 3）XPS 对光敏材料的研究 玻璃态 As2S3 是一种重要的光敏材料，其表面在氧气氛中经紫外线辐照会导致化学成分的光诱导变化，随之发生II B 族金属沉积在 As2S3 表面的粘附几率产生极大的改变。研究这一现象的内在机理，对光刻技术、器件制造都具有重要意义。 图13-25-2 图13-26-2 图13-27-2 不用 XPS 技术：紫外照射引起氧化砷变为气体而挥发，硫在表面富集，生成化学性质相当稳定的惰性表面，使II B 族金属的粘附几率大大降低。 使用 XPS 技术：明确知道氧化砷表面发生了有效的光诱导As2S3氧化反应，但没有任何成分离开非晶薄膜，与硫的行为无关。 Schl. of Optoelectronic Inform. “光电探测与传感集成技术”教育部国防重点实验室 State Key Lab. of ETFID “电子薄膜与集成器件”国家重点实验室. 4）XPS 的应用总结 Schl. of Optoelectronic Inform. “光电探测与传感集成技术”教育部国防重点实验室 State Key Lab. of ETFID “电子薄膜与集成器件”国家重点实验室. Schl. o