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薄膜生长过程和结构 薄膜的生长过程和薄膜结构 5 薄膜的生长过程和薄膜结构 5.1 薄膜生长过程概述 薄膜的生长过程直接影响薄膜的结构和性能。 5.2 新相的自发形核理论 5.3 薄膜的非自发形核理论 5.3.2 薄膜的形核率 5.3.3 衬底温度和沉积速率对形核过程的影响 5.4 连续薄膜的形成 5.4.1 奥斯瓦尔多(Ostwsld)吞并过程 5.4.2 熔结过程 5.4.3 原子团的迁移 5.5 薄膜生长过程与薄膜结构 本章小结 1. 概念：形核率 2. 薄膜的生长过程及三种生长模式 3. 薄膜的自发形核和非自发形核理论 （热力学分析） 4. 核心的三种吞并机制 5. 薄膜的四种典型组织形态（特征、形成条件） 迁移来的吸附原子通量ω应等于吸附原子密度na和原子扩散的发生几率 的乘积； 则 因此，得到 ★ 临界形核自由能变ΔG*的降低将显著提高形核率； 高的脱附能Ed、低的扩散激活能Es有利于气相原子在衬底表面的停留和运动，会提高形核率。 通过自发形核的情况下，薄膜沉积速率R与衬底温度T对临界核心半径r*和临界形核自由能变化ΔG*的影响来说明它们对整个形核过程及薄膜组织的影响。 薄膜沉积速率R对薄膜组织的影响： 固相从气相凝结出来时的相变驱动力可写为 Re — 凝结的核心在温度T时的平衡蒸发速率；