几种补偿技术的比较.docVIP

几种动态补偿技术性能比较 MSVC型动态补偿： 1、MSVC装置的工作原理： MSVC动态补偿装置由电容器补偿支路和磁控电抗器支路组成。通过调节磁控电抗器的感性输出容量，实现无功功率的连续可调。 2、磁控电抗器工作原理： 原理：磁控电抗器采用直流助磁原理，利用附加直流励磁磁化铁心，改变铁心磁导率，实现电抗值的连续可调，从而调节电抗器的输出容量，实现无功功率的柔性补偿。其内部为全静态结构，无运动部件，工作可靠性高。 可控电抗器原理接线如图1所示。在可控电抗器的工作铁心柱上分别对称地绕有匝数为的两个线圈，其上有抽头比为的抽头，它们之间接有可控硅、，不同铁心的上下两个主绕组交叉连接后并联至电源，续流二极管接在两个线圈的中间。 图1 磁控电抗器原理接线图 当电抗器绕组接至电源电压时, 在可控硅、两端感应出左右电源电压的电压。电源电压正半周触发导通可控硅，形成图2(a)所示的等效电路，其中，在回路中产生直流控制电流和；电源电压负半周期触发导通可控硅，形成图2(b)所示的等效电路，在回路中形成直流控制电流和。一个工频周期轮流导通和，产生的直流控制电流和，使电抗器工作铁心饱和，输出电流增加。可控电抗器输出电流大小取决于晶闸管控制角，越小，产生的控制电流越强，从而电抗器工作铁心磁饱和程度越高，输出电流越大。因此，改变晶闸管控制角，可平滑调节电抗器容量。 （a）导通 （b）导通 附图2晶闸管导通等效 技术优势： 能够实现快速平滑调节，响应时间为100—300ms，补偿效果好。 磁控电抗器采用低压晶闸管控制，其端电压仅为系统电压的1％～2％，无需串、并联，不容易被击穿，安全可靠。 即使可控硅损坏，磁控电抗器也仅相当于一台空载变压器，不影响系统其他装置的运行。 晶闸管运行时不需要承受高电压、大电流，，发热量很小，自然冷却即可，无需辅助冷却设备，可实现免维护。 设备自身谐波含量少，不会对系统产生二次污染。 占地面积小，安装布置方便。 装置投运后功率因数可达0.95以上，消除电压波动及闪变，三相平衡符合国际标准 二、相控式动态无功补偿装置（TCR）： 1、原理：相控式原理的可控电抗器的调节原理见图2所示。通过对可控硅导通时间进行控制，控制角为，电流基波分量随控制角的增大而减小，控制角可在0°~90°范围内变化。 图2 相控式电抗器的结构原理 2、技术特点： 电感平衡部分的结构一般是由可控硅、平衡电抗器、控制设备及相应的辅助设备组成，其优缺点大致表现在以下几方面： 2.1晶闸管要长期运行在高电压和大电流工况下，容易被击穿。 2.2晶闸管发热量大，一般情况采用纯水冷却，除了要有一套水处理装置可靠的水源而外，还需配有监护维修人员。 2.3由于调整主电抗电感量只能靠控制可控硅器件的导通角，关闭则需靠交流电的过零特性，所以必然会产生不同程度的谐波电压污染电网。 2.4 需要较大的设备安装和运行工作位置，即占地面积很大。 2．5反应速度快，≤40ms。 三、调压式动态补偿装置： 1、原理：主要由电压调节器，微机控制器，电力电容器组成。 1．电容器组开关 ２．电压调节器　３．避雷器　 ４．并联电容器 ５．放电线圈 采用电压调节器来改变电容器端部输出电压，根据Q=2πfCU2改变电容器端电压来调节无功输出，从而改变无功输出容量来调节系统功率因数，目前生产的装置可实现容量从（100－36）%分九级输出。 2、技术特点： 2．1、该装置为分级补偿方式，容易产生过补、欠补。 2.2、调压式补偿的调节范围仅36%—100%，当需要的补偿容量较小时会出现明显过补，造成电压波动。 2.3、调压变压器分接头容易产生弧光而烧毁，可靠性差。 2.4、由于调压变压器的分接头开关为机械动作过程，响应时间慢（4s），无法及时跟踪系统无功变化和电压闪变，补偿效果差。 2.5、在调压过程中，电容器频繁充、放电，极大影响电容器的使用寿命。 2.6、有载调压变压器油容易裂解，运行维护成本高。 2.7、由于有载调压变压器的阻抗，滤波效果差。 四、TSC型动态补偿： 1、原理：利用串联晶闸管代替真空接触器作为投切开关，对无补 偿进行离散式调节。 2、技术特点： 2.1、晶闸管串联在高压回路，容易被击穿。 2.2、正常运行时晶闸管承受高电压、大电流，发热量非常大，需要辅助冷却设备和大量的维护工作。 2.3、为离散式调节，容易产生过补和欠补，同时引起电压波动。 2.4、需要对滤波支路进行自动投切，虽然能调节无功功率的补偿容量，但必然影响滤波效果。 五、真空开关投切电容器组（GWK型）： 1、原理：利用对系统无功功率的取样，自动控制开关分组投切电容器，其调节方式是离散式的，容易过补和欠补。 2、技术特点： 2.1：开关投切时产生的涌流约在10倍以上