第四章 第二节 单节晶体管触发电路.pptVIP

　单结晶体管触发电路 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 一、单结晶体管的结构和型号 　　单结晶体管，它有三个电极，即发射极 e、第一基极 b1、第二基极 b2，只有一个 PN 结，所以称单结晶体管或双基极二极管。 　　单结晶体管的图形符号如图(b)所示，发射极箭头倾斜指向 b1，表示经 PN 结的电流只流向 b1 极。 　　图(c)是它的等效电路图。因为 e 和 b1 间是一个PN 结，故用二极管 V 等效，其正向压降 VD = 0.7 V。Rb1 表示 e 与 b1 间电阻，它随发射极电流而变，即 IE 上升，Rb1下降。Rb2 表示 e 与 b2 间的电阻，数值与 IE 无关。两基极间电阻 Rbb = Rb1 + Rb2。 称为分压比，? 一般在 0.3 ~ 0.8 之间。 　　单结晶体管的型号有 BT31、 BT32、 BT33、 BT35 等。 二、单结晶体管的负阻 　　单结晶体管具有负阻特性，如图(a)特性曲线所示。所谓负阻特性，就是当发射极电流增加时，发射极电压 VE反而减小。 　　若在 b1、b2 间加固定电压 VBB，且在 e 和 b1 间加一个可调节的电源 GE，则当 VE 从 0 开始增加，但小于?VBB 时，因二极管 V 处于反偏，故不导通，此时只有很小的反向电流。 　　当 VEE =