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PCBIT实验进展 Gongyu Jiang October 29th, 2008 Overview PCBIT-MS系统总略 离子阱注入条件优化 可调分压电路 中科大瓷片阱的测试 结构性功能测试：机械精度、耐受电压、电荷积累 质量分辨能力 ■扫描速度 ■激发电压相位 ■背景气压 ■场轴电位（端盖） MSn调试 ■质量隔离 ■选择质量激发 场轴电位电压（轴向） 注入条件优化现状 原有条件: 阱中轴电位30V EC1=35V EC2=104V Ion Guide Offset=31V Skimmer=35V 现有条件 阱中轴电位0V EC1=35V EC2=104V Ion Guide Offset=31V Skimmer=35V 外部可调分压电路 瓷片阱的测试（老） 瓷片阱的测试（新） 电荷积累问题 通过表面喷涂抗静电图层可暂时解决 寿命：电导半衰期～80h 效果：不再出现系统工作一段时间即出现无离子信号现象 分辨与峰形异常有改善 质量分辨能力进展 质量分辨2500 影响条件：扫描速度 影响条件：激发相位 在1/3分频下 在56DDS/192DDS条件下出现分辨率低点 其余相位分辨持平 影响条件：背景气压 影响条件：场轴电位 MSn: 质量隔离 可实现分辨0.8Th的单质量隔离 可选择1～4Th的质量隔离范围 MSn：质量选择激发 可选择性激发SIPI5286 的35Cl离子丢失水分子和2个水分子 可选择碎裂亚甲基蓝离子 下一步的工作 PCBIT具有分辨率时的质量扩展 MS-MS实验条件摸索 测试更多不同分压比的条件 * * Skimmer Ion Guide RF PoleA PoleB AP EC1 EC2 A B-C D-E F G H-I J-K L -- 0.093559 L-L Corner Electrode Lower 1.493 0.013365 K-K Insulate Gap 4 0.134 0.050597 J-J Side Electrode Lower 1.410 0.024821 I-I Insulate Gap 3 0.131 0.056326 H-H Mid Electrode (part lower than slit) 1.249 0.004773 G-G Ion Outlet Slit 0.753 -0.06969 F-F Mid Electrode (part upper than slit) 1.192 -0.00096 E-E Insulate Gap 2 0.136 -0.00096 D-D Side Electrode Upper 1.405 -0.04678 C-C Insulate Gap 1 0.132 -0.03532 B-B Corner Electrode Upper 1.554 -0.08974 A-A Detail Width from this to next boundary(mm) Incline Angle (degree) Edge 耐压值： 250V0-p Table 1. The measure geometry data from the new ceramic PCBIT -- L-L Corner Electrode Lower 1.667 K-K Insulate Gap 4 0.204 J-J Side Electrode Lower 1.391 I-I Insulate Gap 3 0.205 H-H Mid Electrode (part lower than slit) 1.225 G-G Ion Outlet Slit 0.835 F-F Mid Electrode (part upper than slit) 1.220 E-E Insulate Gap 2 0.209 D-D Side Electrode Upper 1.390 C-C Insulate Gap 1 0.210 B-B Corner Electrode Upper 1.671 A-A Detail Width from this to next boundary(mm) Edge 耐压350V Figure 3. Resolution Power test by (SIPI5286 M+H+=426.3) in variable scan speed. Dipole Amplitude Vp-p (Left to Right: 0.9V, 0.7V, 0.55V, 0.35V, 0.25V, Resolution: 1145, 1340, 1659, 2059, 2240) 2944