VLSI-04第八章光刻(上)预案.ppt

集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 INFO130024.01 集成电路工艺原理 第八章 光刻原理 (上) 大纲 概述 第一章 晶体生长 第二章 硅氧化 第三章 扩散 第四章 离子注入 第五章 扩散淀积 第六章 外延 第八章 光刻 第九章 金属化 第十章 工艺集成 光刻的作用和目的 图形的产生和布局 35％的成本来自于光刻工艺 光刻的要求 图形转移技术组成： 掩膜版/电路设计 掩膜版制作 光刻 光源 曝光系统 光刻胶 分辨率（高） 曝光视场（大） 图形对准精度（高）——1/3最小特征尺寸 产率（throughput）（大） 缺陷密度（低） 空间图像 潜在图像 掩膜版制作 CAD设计、模拟、验证后由图形发生器产生数字图形 数字图形 ×4或×5投影光刻版 投影式光刻 ×1掩膜版制作 接触式、接近式光刻 电子束直写 熔融石英玻璃片 80nmCr 10～15nmARC（anti-reflection coating） 光刻胶 高透明度（散射小） 热膨胀小 ×4或×5投影光刻版在 制版时容易检查缺陷 版上缺陷可以修补 蒙膜(pellicle)保护防止颗粒玷污 掩模版制作过程 12. Finished 掩膜版的成品率Y: D0:单位面积缺陷数， Ac: 芯片面积， N: 掩膜版层数 三种硅片曝光模式及系统 接触式 接近式 投影式 1:1曝光系统 扫描投影式光刻机原理图 1:1曝光系统 步进投影式光刻机原理图 10:1 5:1 1:1 步进扫描光刻机 DSW－direct step on wafer 接触式和接近式——近场衍射（Fresnel） 像平面靠近孔径，二者之间无镜头系统 曝光系统 接触和接近式 Fresnel衍射理论适用的间隔范围： 最小分辨尺寸 g＝10 mm， ?＝365 nm（i线）时， Wmin?2 mm 投影式——远场衍射（Fraunhofer） 像平面远离孔径，在孔径和像之间设置镜头 爱里斑 瑞利给出恰可分辨两个物点的判据： 点物S1的爱里斑中心恰好与另一个点物S2的爱里斑 边缘（第一衍射极小）相重合时，恰可分辨两物点。 S1 S2 S1 S2 S1 S2 可分辨 不可分辨 恰可分辨 100% 73.6% 分辨率 两个爱里斑之间的分辨率(瑞利判据): 数值孔径：收集衍射光的能力。n为折射率 分辨率 k1=0.6-0.8 提高分辨率： NA?，??，k1? 理论计算人眼爱里斑~20?m 分辨率：100 ?m ?为轴上光线到极限聚焦位置的光程差。根据瑞利判据： ? 很小时， 焦深 NA?，焦深? ? 焦深 焦深 焦平面 光刻胶 IC技术中，焦深只有1mm，甚至更小 光刻胶 光刻胶的作用：对于入射光子有化学变化，通过显影，从而实现图形转移。 灵敏度：单位面积的胶曝光所需的光能量：mJ/cm2 负胶 烃基高分子材料 正胶分辨率高于负胶 抗蚀性：刻蚀和离子注入 正胶 IC主导 汞灯436nm (g线)和365nm (i线),光刻胶的组成 （正胶－positive photoresist, DNQ） a) 基底：树脂 是一种低分子量的酚醛树脂 (novolac, a polymer) 本身溶于显影液，溶解速率为15 nm/s。 b)光敏材料（PAC－photoactive compounds) 二氮醌 (diazoquinone, DQ) DQ不溶于显影液，光刻胶在显影液中的溶解速率为 1－2 nm/sec 光照后，DQ结构发生重新排列，成为溶于显影液的烃基酸（TMAH四甲基氢氧化铵——典型显影液） 光照后，光刻胶在显影液中的溶解速度为100－200nm/s c)溶剂 是醋酸丁脂、二甲苯、乙酸溶纤剂的混合物，用于调节光刻胶的粘度。 前烘后膜上树脂 : PAC＝1:1 负胶 (Negative Optical Photoresist) 当VLSI电路需分辨率达2 mm之前，基本上是采用负性光刻胶。 负胶在显影时线条会变粗，使其分辨率不能达到很高。 但在分辨率要求不太高的情况，负胶也有其优点： 对衬底表面粘附性好 抗刻蚀能力强 曝光时间短，产量高 工艺宽容度较高 （显影液稀释度、温度等） 价格较低 （约正胶的三分之一） 负胶的组成部分： a) 基底：合成环化橡胶树脂 (cyclized synthetic rubber risin) 对光照不敏感，但在有机溶剂如甲苯和二甲苯中溶解很快 b) 光敏材料 PAC： 双芳