No4.第三章-表面与界面技术总结.ppt

播放 蜘蛛丝 吸水视频 NATURE| Vol 463|4 February 2010 NATURE| Vol 455| 11 September 2008 吸油过程 视频 小结： 1、三种润湿的共同点是液体将气体从固体表面排挤开，使原有的固－气或 液－气界面消失，而代之以固－液界面。 2、改善润湿的方法：由cosθ＝（γSV － γSL )/ γLV 可知 (1) 降低γSL (2)去除固体表面吸附膜，提高γSV (3) 降低γLV (4)改变粗造度。 当真实接触角θ90o ，粗造度愈大表观接触角愈小，愈易润湿。当θ90o ,粗造度愈大愈不利润湿。 第三节 晶界 晶界：凡结构相同而取向不同的晶体相互接触， 其接触界面称为晶界 相界：由结构、组成不同的两相接触所形成 的界面，称为相界面。 一、晶界特征 由于晶界上两晶粒的取向有差异，两晶粒都力图使晶界上的质点排列符合自己的取向。但达到平衡时，晶界上的原子就形成某种过渡的排列方式。 因此晶界上的原子排列不规则，从而结构比较疏松，因此使晶界具有一些不同于晶粒的特性 一、晶界特征 晶粒的取向偏差 晶界结构畸变 晶界特性 1、晶界显露，易受腐蚀。化学稳定性薄弱环节 5、应力畸变，能阶高， 固态相变优先成核区。 固态相变 4、杂质偏聚 晶界势垒、电子材料 3、高温性能 高温蠕变 2、离子快速扩散的通道 固体电解质、烧结 二、 晶界结构的分类： 1. 按两个晶粒之间夹角的大小来分： 金刚石 大角度晶界： 晶界上质点排列接近无序 小角度晶界(约2o~3o)： 两晶粒原子排列错合角度小。 由位错组成，主要是刃型 位错、螺旋位错 共格晶界:界面两侧的晶体具有非常相似的结构和类似的取向，越过界面原子面是连续的 2、按晶界两边原子排列的连贯性 非共格晶界:界面两侧结构相差很大且与相邻晶体间有畸变的原子排列。 半共格晶界:晶面间距比较小的一个相发生应变，在界面位错线附近发生局部晶格畸变。 1）当失配度较小时，两晶粒的晶面间距相差不大，以共格晶界存在能量最低。如孪晶 C1 C2 δ 弹性应变能 失配度 连贯（共格） 半共格 B 失配度：δ = C2 C1 C1 弹性应变能 失配度 δ 连贯（共格） 半共格 2）当失配度增加到一定程度，如B点，若再以共格相连，所产生的弹性应变能将大于引入晶界位错所引起的能量。以半共格晶界相连比共格晶界能量更低。因而以半共格晶界相连。 C1 C2 B Ag/Cu CuO 长度 晶界能：Brooks 在半共格晶界中，由于界面位错的引入，使位错线附近发生局部的晶格畸变，从而使晶界能增加。 3)当失配度进一步增加，晶界引入位错不能无限制增加，这时晶粒以非共格晶界相连。晶界质点的排列趋于无序状态。 Cu / Al / Ni 三、晶界偏析、相偏析 1、现象： 材料制备中，杂质或掺杂剂往往在晶界或相界等处发生聚集，从而造成在晶界或晶界区出现组分不同于两侧晶粒的变化。表现为： 1） 溶质或杂质在晶界面上的吸附 2）固有点阵缺陷在晶界区的增加 3）杂质在晶界的偏析 4）在晶粒间产生新相——相偏析 晶界偏析：在晶界上出现具有不同化学成分的现象。 相偏析： 溶质原子在晶界上聚集，并形成不同成 分的新相。一般位于多晶交叉处。 又称脱溶凝结 相偏析 晶界偏析 2、意义： 晶界偏析、相偏析 是多晶材料中非常普遍的现象。材料的机械、电学、磁学、光学等性能往往与晶界或相偏析有关，例如： I U A R T B 2）BaTiO3 PTC 陶瓷中，Al,Si，Ti 等杂质在晶界的 偏析，提高了其PTC效应。 1）ZnO 压敏材料中，ZnO晶粒间析出 β和γ-Bi2O3 相， 从而具备压敏效应。 3、晶界偏析的推动力： 当杂质（溶质）离子的大小或电荷不同于晶粒质点（基质）时，杂质离子在基质内将引起较大的晶格畸变，使体系的内能升高。若杂质离子迁移到较疏松的晶界处，