本征半导体.docVIP

本征半导体：完全纯净结构完整没有杂质和缺陷的半导体 本征激发：电子吸收晶格热运动能量，从价带激发到导带的过程 直接复合：导带电子放出能量，直接跳回价带与空穴复合引起的电子-空穴对的消失过程 间接复合：导带中的电子首先被禁带中某一个中间能级所俘获，然后落入价带与空穴相复合。即电子与空穴通过所谓的复合中心进行的复合 直接带隙：导带边和价带边处于K空间相同点 间接带隙：导带边和价带边处于K空间不同点 空间电荷区：在PN结中，对于P区，空穴离开后，留下了带负电的电离受主，这些电离的受主离子在PN结的P区一侧形成了一个负电荷区；同样对于N区，由于电子的离开，留下带正电的电离施主，这些电离后的施主离子在PN结的N区一侧形成了一个正电荷区，这样就在交界面的两侧形成带正负电荷的区域，称为…… 自建场：空间电荷区内的正负电荷形成一个电场，电场的方向有带正电的N区指向带负电的P区，这个电场称为…… PN结击穿类型：热电击穿、隧道击穿、雪崩击穿 其中雪崩击穿的条件是 物理意义是 一个载流子通过整个势垒区，碰撞电离产生了一对电子-空穴对时，PN结就发生了雪崩击穿。 正向注入效应：PN结正向偏置，势垒区电场的削弱，打破了原平衡PN结载流子扩散运动和漂移运动的平衡状态，使载流子的扩散趋势大于漂移趋势，电子从N区扩散到P区，空穴从P区扩散到N区，正向PN结的这一重要现象称为正向注入效应。因为这种正向注入效应是由外加正向偏置的作用引起的，因此也称为非平衡载流子的注入。 PN结反向抽取作用：把反向PN结空间电荷区具有的抽取 或收集 少子的重要作用称为…… 晶体小信号：意指交流电压和电流的峰值小于直流电压和电流的峰值 MOS二极管定义、在外加零偏压是，金属功函数与半导体功函数之间没有能量差 2、在任何偏置条件下，MOS结构中的电荷仅次于半导体之中，而且与邻近氧化层的金属表面电荷的数量大小相等，但符号相反。 3、氧化膜是一个理想的绝缘体，电阻率为无穷大，在直流偏置条件下，氧化膜中没有电流通过 基区自建场：由于基区内存在杂质浓度梯度，多事载流子空穴也必然有同样的分布梯度，显然，空穴的浓度梯度将引起空穴向浓度低的方向扩散，但是空穴一旦离开，基区中的单电中性就受到破坏。因此，基区中必然会产生一个电场Eb,使空穴做反方向的漂移运动，来抵消空穴的扩赛运动，以维持电中性，把这个电场称为缓变基区的自建电场 晶体管在结构上要满足条件：1、具有PNP或NPN三层结构 2、基区宽度要非常薄，薄的程度要远小于非平衡少子的扩散长度 3、发射区的杂质浓度要远大于基区杂质浓度。 晶体管的放大 功能主要表现在两个方面：1、晶体管的电流放大及其放大倍数的大小 2、阻抗转换及其转换比例的大小 功函数：指每一种材料从它的费米能级与真空能级之间的能量差 简答题：1、晶体管放大原理：?正常工作时，发射结正向偏置，集电结反向偏置。 由于正向偏置，发射结是由NP结组成，根据PN结特性将有大量电子从N区注入到P区并在基区边界积累形成一定的浓度梯度。电子靠浓度梯度向基区扩散，与基区中的空穴复合使 中间的P区宽度不断缩小。当P区宽度大大小于少子电子扩散长度Ln时，两个PN结就会发生相互作用。从第一PN结注入的电子小部分在P区复合大部分到达第二个PN结即集电结反偏从P区指向N区，显然与内电场的方向相反，这时外电场驱使P区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷，同时N区的自由电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷，结果使空间电荷区变窄，内电场被削弱。内电场的削弱使多数载流子的扩散运动得以增强，形成较大的扩散电流（扩散电流由多子的定向移动形成，）。在一定范围内，外电场愈强，正向电流愈大，PN结对正向电流呈低电阻状态，这种情况在电子技术中称为PN结的正向导通。PN结反向偏置时，外加电场与空间电荷区的内电场方向一致，同样会导致扩散与漂移运动平衡状态的破坏。外加电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走，使空间电荷区变宽，内电场增强，造成多数载流子扩散运动难于进行，同时加强了少数载流子的漂移运动，形成由N区流向P区的反向电流。但由于常温下少数载流子恒定且数量不多，故反向电流极小。电流小说明PN结的反向电阻很高，通常可以认为反向偏置的PN结不导电，基本上处于截止状态，这种情况在电子技术中称为PN结的反向阻断。只要温度不发生变化，反向电流趋于恒定，因此反向电流又称为反向饱和电流。