半导体器件模拟技术总结.pptVIP

半导体器件模拟 一、器件模拟技术和概念与发展简况 二、与基本半导体方程组相关物理参数 三、 半导体基本方程组的求解问题 (一)、基本方程组因变量的选取 (二)、基本方程的归一化? （三）基本方程的定义域及边界条件 (四)、基本方程的离散化 半导体器件模拟 一、器件模拟技术和概念与发展简况 器件模拟是根据器件的杂质分布剖面结构,利用器件模型,通过计算机模拟计算得到半导体器件终端特性。 器件模拟是一项模型的技术，器件的实际特性能利用这种模型从理论上予以模拟，因此它是一种可以在器件研制出来之前予示器件性能参数的重要技术。 半导体器件模拟 器件模拟有两种方法：一种是器件等效电路模拟法；另一种是器件物理模拟法。 (1)器件等效电路模拟法是依据半导体器件的输入、输出特性建立模型分析它们在电路中的作用，而不关心器件内部的微观机理，在电路模拟中常用这种方法。 (2)器件物理模拟法则从器件内部载流子的状态及运动出发，依据器件的几何结构及杂质分布，建立严格的物理模型及数学模型，运算得到器件的性能参数，这种方法能深刻理解器件内部的工作原理、能定量分析器件性能参数与设计参数之间的关系. 半导体器件模拟 器件物理模拟技术是70年代以后发展起来的，多年来相继出现了多种具体方法，主要有三种： ①有限差分法 ②有限元法 ③Monte Carlo法 前二种是离散数值模拟法，是目前模拟常规半导体器件的主要方法，其中有限差分法是最早发展起来的，方法比较简单，容易掌握，但是几何边界复杂的半导体器件，用多维有限差分法碰到较大的困难;有限元法与有限差分法相比，对区间的离散方法比较自由，容易适应复杂的器件边界。 半导体器件模拟 第三种Monte Carlo法是统计模拟法，它以载 流子在器件中运动时的散射过程为基础，逐个跟 踪每一载流子的运动。Monte Carb法的优点是能 对器件的物理过程作深入了解，同时不受器件维 数的限制，是目前模拟小尺寸半导体器件的最有 力工具。它的缺点是计算冗繁，需要很多机时。 半经典方法:由于器件尺寸的小型化，出现了一些效应，这些效应用经典的方法处理已不可能，需要对传统的经典理论作一些修正，所以称半经典方法。 量子理论模拟法: 当半导体器件的尺寸进一步缩小到小于0.1μm时，需要考虑量子效应，相应的模拟方法称为量子理论模拟法。 半导体器件模拟 在离散数值模拟中，已经给出了一个数学模型，它可以精确分析一个任意的半导体，构成这个数学模型的方程称为基本半导体方程，可以从Max-well方程组和半导体物理知识推出，它们是 （3.1-1） （3.1-2） （3.1-3） （3.1-4） （3.1-5） 半导体器件模拟 其中（3.1-1）（3.1-2）为半导体连续性方程；（3.1-3）（3.1-4）为半导体电流传输方程； （3.1-5）为泊松方程。在一维情况上方程组可写为： （3.1-6） （3.1-7） （3.1-8） （3.1-9） （3.1-10） 半导体器