改进的两步法制备ZnO纳米棒阵列解决方案.ppt

改进的两步法制备ZnO纳米棒阵列 主要部分 一、ZnO的性质及应用 二、ZnO纳米棒的制备常用方法方法 三、两步法制备ZnO纳米棒阵列及其生长机制 1. 两步法制备的ZnO纳米棒阵列 2. 影响因素：生长时间、浓度、放置方式 3. 生长机制 4. 结论 一、ZnO的性质及应用 ZnO:直接带隙宽禁带半导体：室温下3.37eV 非常大的激子束缚能：60meV 气敏和压电性质 无毒，生物相容性 自组装特性：纳米棒[1]、纳米梳[2]、纳米弹簧[3]等 ZnO纳米棒阵列具有非常奇特的性质,现在已经用于很多器件. D 做仿生疏水材料 二、ZnO纳米棒的制备常用方法方法 2.1两步法制备ZnO纳米棒的理论基础 Govender等人证明：先生长一层ZnO籽晶层，制备得到的ZnO薄膜结晶质量高。 Verges认为这是一种非常慢的动力学过程，也就是准平衡态的生长，并且可以用于纳米棒的生长。 Yamabi证明了直立的ZnO纳米棒阵列只能在结晶的ZnO基底上生长。 三、两步法制备ZnO纳米棒阵列及其生长机制 1.两步法制备的ZnO纳米棒阵列 2.影响因素：生长时间、浓度、放置方式 3.生长机制 4.结论 1.两步法制备的ZnO纳米棒阵列 条件： Zn(CH3COO)2·2H2O 和C6H12N4 0.1m/l、90℃、3h a 籽晶层：