场效应器件物理MOS结构精讲.pptVIP

* * * * * * XIDIAN UNIVERSITY * 1.1 MOS电容 阈值电压影响因素:栅电容 COX影响：COX越大，则VTN越小； 物理过程：COX越大，同样VG在半导体表面感应的电荷越多， 阈值反型点（半导体表面的负电荷总量不变）所需VG越小，易反型 COX提高途径： 45nm工艺前，减薄栅氧化层厚度; 45nm工艺后，选择介电常数大的绝缘介质 XIDIAN UNIVERSITY * XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容 阈值电压影响因素:掺杂浓度 |QSDmax|=e NaXdT Na影响：Na越小，则VTN越小； 物理过程：Na越小，达到反型所需耗尽的多子越少， QSDmax越小，半导体表面易反型。 问题：假定半导体非均匀掺杂，影响VT的是哪部分半导体的浓度？ 氧化层下方的半导体掺杂浓度影响VT 可通过离子注入改变半导体表面的掺杂浓度，调整VT。 * XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容 阈值电压影响因素:氧化层电荷 QSS`影响：QSS`越大，则VTN越小； 物理过程：QSS`越大，其在半导体表面感应出的负电荷 越多，