光电技术第1章第2节描述.pptVIP

1.5.2 半导体对光的吸收 半导体价带电子吸收光子能量跃迁入导带，产生电子空穴对的现象称为本征吸收。 1.本征吸收 本征吸收、杂质吸收、自由载流子吸收、激子吸收、晶格吸收 显然，发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度Eg，才能使价带EV上的电子吸收足够的能量跃入到导带底能级EC之上，即 由此，可以得到发生本征吸收的光波长波限 （1-69） （1-70） 只有波长短于 的入射辐射才能使器件产生本征吸收，改变本征半导体的导电特性。 (μm) 2.杂质吸收：引起杂质吸收的光子的最小能 量应等于杂质的电离能 N型半导体中未电离的杂质原子（施主原子）吸收光子能量hv。若hv大于等于施主电离能ΔED，杂质原子的外层电子将从杂质能级（施主能级）跃入导带，成为自由电子。 同样，P型半导体中，价带上的电子吸收了能量hv大于ΔEA（受主电离能）的光子后，价电子跃入受主能级，价带上留下空穴。相当于受主能级上的空穴吸收光子能量跃入价带。 这两种杂质半导体吸收足够能量的光子，产生电离的过程称为杂质吸收。 显然，杂质吸收的长波限 （1-71） （1-72） 由于EgΔED或ΔEA ，因此，杂质吸收的长波长总要长于本征吸收的长波长。杂质吸收会改变半导体的导电特性，也会引起光电效应。 (μm) (μm) 3. 激子吸收