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* * * * * * * * * * * * * 1. 防止由于SIM Card 槽导致的终端变形结构设计 。 (反映了三星无线事业部的信赖性改善要求事项) 区分 改善事项 改善前 改善后 SIM Card (t=0.76±0.08) SIM Card Mold SIM Card (t=0.76±0.08) SIM Card Mold 现有量产品 : 终端的末端卡在 SIM Card 槽导致终端变形 因终端末端??插到里面所以不会卡在SIM Card 槽。 株) CL Mini SIM Socket - 特征 * 改善事项 已有量产产品 改善产品(CL) 确保触点稳定性 a. 1点 CONTACT改善为 2点 Contact b. Contact部分启用 EMBO 改善事项 结构 终端 Tension及内部结构提升 驾动终端时其末端与 PCB 底部接触的构造，与其他公司比较高大约15gf以上。 上面PCB 插入CARD 0.35~0.40gf 2. 2点触点方式 : 反应三星无线事业部的信赖性改善要求事项 - 改善Contact 终端触点稳定性 (启用2点触点，接触点部分启用 EMBO ) 株) CL Mini SIM Socket - 特征 * SWITCH 触点 (Off/On TYPE) SWITCH DETECT COMMON SWITCH DETECT COMMON On(LOCK POSITION) Off(EJECT POSITION) 3. Switch Wiping 功能 : 反应了三星无线事业部信赖性改善要求事项 - 以CAM Sliding的 Wiping 功能体现 4. 防止Switch Open 不量设计 : 1) 防止因CARD滑动而导致的 OFF 现象. (在CAM不 Ejection的情况下不会导致 Switch off 。) 2) 防止因SWITCH及 DETECT终端脱落或者错位导致的 SMT不良现象。 - 设计Insert 注塑方式 株) CL Mini SIM Socket - 特征 * 株) 比较CL Mini SIM Socket Push-pull产品 * 株) CL Mini SIM Socket Push-pull – 产品 Spec * 3. Micro SD Socket MICRO SD SOCKET (J02-0010-A129) MICRO SD SOCKET (J02-001A-A129) * MICRO SD SOCKET (C02-0010-A129) H1.27 (PUSH-PUSH TYPE) - Size : 13.8(W) x 15.2(L)x1.27(H) - Type : Push-Push Contact Resistance: 50 mΩ(max) Insulation Resistance: 1000MΩ(min) Operating Temperature range: -30℃ ~ +85℃ Storage Temp. range : -40℃ ~ +85℃ Rated voltage: 50V Rated current : 2A/Pin (Max) Life Cycle : 10,000 Cycle 株) CL Micro SD Socket – 产品 Spec * MICRO SD SOCKET (C02-001A-A129) H1.27 (PUSH-PUSH TYPE) - Size : 13.8(W) x 15.2(L)x1.27(H) - Type : Push-Push Contact Resistance: 50 mΩ(max) Insulation Resistance: 1000MΩ(min) Operating Temperat