ISD2560,0,120系列语音录放集成电路应用说明.docVIP

ISD2560／90／120 系列语音录放 集成电路应用说明 简述 使用方便的单片32至120秒语音录放 多段信息处理，可分1至320/600段 高质量、自然的语音还原技术 不耗电信息存100年（典型值） 边沿/电平触发放音 100，000次录音周期（典型值） 手动操作/微控制器控制兼容 片内免调整时钟，可选外部时钟 多片直接级联，延长录放时间 无需开发系统 5V单电源工作，维持电流1uA DIP，SOLC，TSOP封装及工业级 表1~1型号与性能对照 型号 时间 输入采样 典型带宽 最大段数 最小段数 外部钟频 2532 32秒 8.0KHz 3.4KHz 320 !00ms 1024.0KHz 2548 48秒 5.3KHz 2.3KHz 320 150ms 682.7KHz 2560 60秒 8.0KHz 3.4KHz 600 100ms 1024.0KHz 2590 90秒 5.3KHz 2.3KHz 600 150ms 682.7KHz 25120 120秒 4.0KHz 1.7KHz 600 200ms 512.0KHz ISD2500系列单片录放时间32秒至120秒，音质好。芯片采用CMOS技术，内含振荡器、话筒前置放大、自动增益控制、防混淆滤波器、平滑滤波器、扬声器驱动及EEPRIM阵列。 图1~1、ISD2560／90／120内部框图 ISD2500系列具备微控制器所需控制接口。通过操纵地址和控制线可完成不同的任务，实现复杂的信息处理，如信息的组合，连接，设定固定的信息段，信息管理等。ISD2500可不分段，也可按最小段长为单位任意组合分段，参见表1~1“最大段数”。 芯片采用多电平直接模拟量存储专利技术，每个采样值接存储在片内单个EEPROM单元中，因此能够非常真实、自然地再现语音、音乐、音调和效果声，避免了一般固体录音电路因量化和压缩造成的量化噪声和“金属声”。采样频率从4.0，5.3，6.4到8.0KHz,同一第列的产品休样频率越低,录放时间越长, 但通频带和音质有所降低。片内信息可保存100年(无需后备电源)，EEPROM单元可反复录音十万次 图1~2、ISD2560／90／120硬封装引脚图 引脚描述 电源（VCCA，VCCD）芯片内部的模拟和数字电路使用不同的电源总线，并且分别引到外封装上，这样可使口若悬河最小。模拟和数字电源端最好分别走线，尽可能在靠近供电端处相连，而去耦电容应尽量靠近芯片。 地线（VSSA，VSSD）芯片内部的模拟和数字也可使用不同的地线，这两脚最好在引脚焊盘上相连。 节电控制（PD）本端拉高使芯片停止工作， 进入不耗电的节电状态，芯片发生溢出，即/OVF端输出低电平后，要将本端短暂变高复位芯片，才能使之再次工作。 片选（/CE）本端变低后（而且PD为低），允许进行录放操作。芯片在本端的下降沿锁存地直线和P/-R端的状态。 录放模式（P/-R）本端状态在/CE的下降沿锁存。高电平选择放音，低电平选择录音。录音时，由地址端提供起始地址，录音持续到/CE或PD变高，或内存溢出；如果是前一种情况，芯片自动在录音结束处写入EOM标志。放音时由地址端提供起始地址，放音持续到EOM标志。如果/CE一直为低，或芯片工作在某些操作模式，放音会忽略EOM，继续进行下去。 信息结尾标志（/EOM） EOM标志在录音时由芯片自动插入到该信息的结尾。放音遇到EOM时， 本端输出低电平脉冲。芯片内部会检测电源电压以维护信息的完整性，当电压低于3.5V时，本端变低，芯片只能放音。 溢出标志（/OVF）芯片处于存储空间末尾时本端输出低电平脉冲表示溢出，之后本端状态跟随/CE端的状态，直到PD端变高。本端可用于级联。 话筒输入（MIC）本端连至片内前置放大器。片内自动增溢控制电路（AGC）将置增益控制在-15至24dB。外接话筒应通过串联电容耦合到本端。耦合电容值和本端的10KΩ输入阻抗决定了芯片频带的低频截止点。 话筒参考（MIC REF）本端是前置放大器的反向输入。当以差分形式连接话筒时，可减小噪声，提高共模抑制比。 自动增益控制（AGC） AGC动态调整前置增益以补偿话筒输入电平的宽幅变化，使得录制变化很大的音量（从耳语到喧嚣声）时失真都能保持最小。响应时间取决于本端的5KΩ输入阻抗外接的对地电容（即线路图中C2）的时间常数。释放是境取决于本端外接的并联对地电容和电阻（即线路图中R2和C2）的时间常数。470KΩ和4.7uF的标称值在绝大多数场合下可获得满意的效果. 模拟输出(ANA OUT)前置放大器的输出.前置电压增益取决于AGC端电平. 模拟输入(ANA IN )本端为芯片录音信号输出.对话筒输入来说ANA OUT端应通过外接电容连至本端.该电容和本端的3KΩ输入阻抗给出了